KR970053818A - 실린더 및 핀형 구조가 조합된 전하저장전극 형성방법 - Google Patents

실린더 및 핀형 구조가 조합된 전하저장전극 형성방법 Download PDF

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KR970053818A
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김현곤
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판(1)에 트랜지스터를 형성한 후 평탄화 절연막을 증착한 후 전하저장 전극용 폴리실리콘막과 희생산화막을 교대로 증착된 다층구조물을 형성하는 제1단계; 전하저장전극 콘택홀(8)을 형성한 후 폴리실리콘막(9)을 증착하여 전면식각하여 콘택홀(8) 내부에만 폴리실리콘막(9)을 남기는 제2단계; 전하저장전극용 마스크를 이용하여 상기 최상부의 희생산화막과 폴리실리콘막을 증착한 후 전면식각하여 상기 패턴된 최상부의 희생산화막 및 폴리실리콘막 측벽에 폴리실리콘막 스페이서(11)를 형성하는 제4단계; 노출된 상기 희생산화막 및 상기 노출된 상기 희생산화막(5)의 하부에 차례로 적층된 폴리실리콘막과 희생산화막을 일정크기로 패턴하는 제5단계; 및 잔류되어 있는 희생산화막을 습식식각으로 제거하는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실린더 및 핀형 구조가 전하저장전극 형성방법에 관한 것이다.

Description

실린더 및 핀형 구조가 전하저장전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명의 일실시예에 따른 전하저장전극 형성 공정 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 반도체 기판에 트랜지스터를 형성한 후 평탄화 절연막을 증착한 후 전하저장 전극용 폴리실리콘막 희생산화막을 교대로 증착된 다층구조물을 형성하는 제1단계; 전하저장전극 콘택홀을 형성한 후 폴리실리콘막을 증착하여 전면식각으로 콘택홀 내부에만 폴리실리콘막을 남기는 제2단계; 전하저장전극용 마스크를 이용하여 상기 최상부의 희생산화막과 폴리실리콘막을 건식식각하는 제3단계; 상기 전하저장전극용 마스크를 제거한 후 전체 구조 상부에 폴리실리콘막을 증착한 후 전면식각하여 상기 패턴된 최상부의 희생산화막 및 폴리실리콘막 측벽에 폴리실리콘막 스페이서를 형성하는 제4단계; 노출된 상기 희생산화막 및 상기 노출된 상기 희생산화막의 하부에 차례로 적층된 폴리실리콘막과 희생산화막을 일정크기로 패턴하는 제5단계; 및 잔류되어 있는 희생산화막을 습식식각으로 제거하는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 평탄화용 절연막은 상기 희생산화막과 습식식각비의 차를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제6단계는 희생산화막을 습식식각 후 평탄화용 절연막을 식각하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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