KR960009152A - 반도체기억장치 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기억장치 제조방법에 관한 것으로, 디램(DRAM)의 캐패시터의 용량을 증대시키기 위하여 새로운 공정방법을 이용하여 더욱 많은 축전용량을 확보할 수 있는 저장전극을 구비하여 종래의 실린더형 저장 전극보다 표면적을 증대시킬 수 있고, 저장전극의 단차를 줄일 수 있으므로 후속공정을 용이하게 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제6도는 본 발명에 의해 반도체 기억장치 제조단계를 도시한 단면도.
Claims (6)
- 반도체 기억장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판에 게이트전극과 소오스/드레인 확산영역이 구비된 MOSFET를 형성하는 단계와, 전체적으로 제1절연막, 평탄화용 제2절연막과 제3절연막을 증착하는 단계와, 전체구조 상부에 제1다결정실리콘층을 증착하고, 그 상부에 제4, 제5, 제6절연막과 질화막의 순차적으로 증착하는 단계와, 저장전극 마스크를 상기 질화막과 제6, 제5, 제4절연막을 순차적으로 건식식각하여 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제5절연막 패턴을 선택적으로 일정부분을 식각하여 패턴 측벽에 요철을 형성하는 단계와, 전체적으로 제2다결정실리콘층을 증착한 다음, 제2다결정실리콘층과 제1다결정 실리콘층을 전면식각하여 상기 패턴 측벽에 제2다결정 실리콘층 스페이서를 형성하고 그 하부에 제1다결정실리콘층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 질화막과 제4, 제5, 제6절연막 패턴을 완전히 제거하는 단계와, 제2다결정실리콘층 스페이서와 제1다결정실리콘층 패턴이 전기적으로 접속된 저장전극의 표면에 유전체막과 플레이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 기억장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3, 제4 및 제6절연막은 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제3, 제4 및 제6절연막은 PSG막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제5절연막은 TEOS막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제5절연막 패턴을 선택적으로 식각하여 패턴 측벽에 요철을 형성할 때 제4 및 제6절연막 패턴의 일정부분이 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막과 제4, 제5, 제6절연막 패턴을 제거할 때 습식식각으로 제거하여 제3절연막도 함께 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940020653A KR0143347B1 (ko) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 반도체기억장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940020653A KR0143347B1 (ko) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 반도체기억장치 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR960009152A true KR960009152A (ko) | 1996-03-22 |
KR0143347B1 KR0143347B1 (ko) | 1998-07-01 |
Family
ID=66697858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940020653A KR0143347B1 (ko) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 반도체기억장치 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0143347B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100236072B1 (ko) * | 1996-09-11 | 1999-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 커패시터 구조 및 제조방법 |
-
1994
- 1994-08-22 KR KR1019940020653A patent/KR0143347B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100236072B1 (ko) * | 1996-09-11 | 1999-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 커패시터 구조 및 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0143347B1 (ko) | 1998-07-01 |
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