KR960002789A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판 상부에 형성된 콘택홀 통하여 상기 반도체기판 상부에 접속되도록 저장전극용 다결정실리콘막패턴을 형성하고 그 측벽 산화막 스페이서를 형성한 다음, 그 상부에 반구형 텅스텐을 성장시키고 상기 반구형 텅스텐을 마스크로하여 상기 저장전극용 다결정실리콘막팬을 일정두께 식각한 다음, 상기 반구형 텅스텐과 산화막 스페이서를 제거함으로써 별도의 공정이나 장치없이 종래보다 많은 표면적을 갖는 저장전극을 구비하는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 생산성 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층, 제1절연막 및 제2절연막을 순차적으로 형성하고 상기 반도체기판이 노출되도록 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체 기판 상부에 접속되도록 저장전극용 다결정실리콘막을 일정두께 증착하고 그 상부에 저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 저장전극 마스크를 사용하여 상기 저장전극용 다결정실리콘막을 식각함으로써 저장전극용 다결정실리콘막패턴을 형성하고 상기 저장전극 마스크를 제거하는 공정과, 상기 저장전극용 다결정실리콘막패턴의 측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 저장전극용 다결정실리콘막패턴의 상부에 반구형 텅스텐을 성장시키는 공정과, 상기 반구형 텅스텐을 마스크로하여 상기 저장전극용 다결정실리콘막패턴을 일정두께 식각하고 상기 반구형 텅스텐을 제거하는 공정과, 습식방법으로 상기 산화막 스페이서와 제2절연막을 제거함으로써 표면적에 증대될 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저장전극용 다결정실리콘막은 불순물이 도핑되지않은 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반구형 텅스텐을 이용한 식각공정은 상기 저장전극용 다결정실리콘과 반구형 텅스텐의 식각선택비를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012569A KR960002789A (ko) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012569A KR960002789A (ko) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002789A true KR960002789A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940012569A KR960002789A (ko) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002789A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399916B1 (ko) * | 1996-06-28 | 2004-06-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하저장전극및그제조방법 |
-
1994
- 1994-06-03 KR KR1019940012569A patent/KR960002789A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399916B1 (ko) * | 1996-06-28 | 2004-06-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하저장전극및그제조방법 |
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