KR970024217A - 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
강유전체를 유전체막으로 사용하여 실린더 구조의 스토리지 전극을 가지는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 스토리지 전극을 형성하기 위하여 금속막을 식각하는 도중에 식각마스크의 측벽에 실린더 모양의 측벽 크라운을 형성하여, 상기 측벽크라운을 마스크로 실린더 모양의 스토리지 전극을 형성하는 것이다. 따라서, 실린더 구조에 의하여 커패시터의 유효 면적이 증가하여 고집적 반도체 장치에 적합한 커패시터를 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 종래의 스택 구조에 비하여 단차가 감소하여 후속 공정이 용이해지는 장점을 얻는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도 내지 제16도는 본 발명에 의하여 백금을 스토리지 전극으로 사용하는 실린더 구조의 커패시터 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.
Claims (4)
- 강유전체를 유전체막으로 이용하고, 실린더 모양의 스토리지 전극을 가지는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 있어서, 반도체 기판에 층간 절연층을 증착하는 단계; 사진 식각 공정을 이용하여 상기 층간 절연층에 상기 반도체 기판의 표면을 대기 중에 노출하는 접촉창을 형성하는 단계; 상기 접촉창의 내부에 다결정 실리콘막 플러그를 형성하는 단계; 상기 다결정 실리콘막 플러그에 접촉하는 제1 금속막을 상기 층간 절연층 위에 증착하는 단계; 상기 제1 금속막 위에 제2 금속막을 증착하는 단계; 상기 제2 금속막 위에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 제2 금속막 및 상기 제1 금속막을 식각하면서, 상기 마스크 패턴의 측벽에 측벽 크라운을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 측벽 크라운을 식각으로 제거하면서 상기 제2 금속막을 일부분 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 금속막은 식각하는 가스에 CF4· SF6또는 Cl2를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측벽 크라운을 형성하는 단계 후에 화학 기계적 폴리싱 방법을 이용하여 상기 측벽 크라운의 높이를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측벽 크라운을 식각으로 제거하는 단계 후에 산소 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950038988A KR970024217A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950038988A KR970024217A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024217A true KR970024217A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950038988A KR970024217A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024217A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003433A (ko) * | 1998-06-29 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체소자의 커패시터 제조방법 |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950038988A patent/KR970024217A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003433A (ko) * | 1998-06-29 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체소자의 커패시터 제조방법 |
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