KR970013331A - 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치의 커패시터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
실린더 모양의 스토리지 전극을 가지는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 스토리지 전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴의 측벽에 실린더 모양의 스페이서를 만들기 위하여 상기 포토레지스트 패턴을 실릴레이션시키는 방법을 이용한다. 따라서, 종래의 방법에서 상기 스페이서를 형성하기 위하여 상기 포토레지스트 패턴 위에 실리콘 산화막을 형성하는 공정을 제거하는 효과가 있고, 상기 포토레지스트 패턴 위에 실리콘 산화막을 형성하는 공정에 의해서 발생하는 문제점도 제거된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도 내지 제14도는 본 발명에 따라 실린더 모양의 스토리지 전극을 가지는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법을 순서대로 보여주는 단면도들이다.
Claims (10)
- 스토리지 전극ㆍ유전체막및 폴리이트 전극을 구비하는 커패시터 제조 방법에 있어서, 상기 스토리지 전극을 형성하는 방법은, 반도체 기판에 층간 절연층을 증착하는 단계; 사진 식각 공정을 이용하여 상기 층간 절연층에 상기 반도체 기판의 표면을 대기 중에 노출하는 접촉창을 형성하는 단계; 상기 접촉창을 통하여 상기 반도체 기판에 접촉하는 도전층을 상기 층간 절연층 위에 형성하는 단계; 상기 도전층의 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 실릴레이션시켜 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 실릴레이션 영역을 형성하는 단계; 상기 실릴레이션영역을 이방성 식각하여 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 실릴레이션 스페이서를 형성하는 단계 : 상기 포토레지스트 패터 및 실릴레이션 스페이서를 마스크로 상기 도전층의 일부분을 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고 실릴레이션 스페이서를 남기는 단계; 상기 실릴레이션 스페이서를 마스크로 상기 도전층을 식각하여 실린더 모양의 스토리지 전극을 형성하는 단계 : 및 상기 실릴레이션 스페이서를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 불순물을 포함하는 다결정 실리콘막 또는 비정질 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실릴레이션은 50 내지 180℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실릴레이션은 TMDS·HMDS·DMSDEA또는 DMSDMA를 매개로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실릴레이션 스페이서를 형성하는 단계에서 Cl2, CF4또는 C2F6를 포함하는 혼합 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 스토리지 전극 ·유전체막 및 플레이트전극을 구비하는 커패시터 제조 방법에 있어서, 상기 스토리지 전극을 형성하는 방법은, 반도체 기판에 층간 절연층을 증착하는 단계; 사진 식각 공정을 이용하여 상기 층간 절연층에 상기 반도체 기판의 표면을 대기 중에 노출하는 접촉창을 형성하는 단계; 상기 접촉창을 통하여 상기 반도체 기판에 접촉하는 도전층을 상기 층간 절연층 위에 형성하는 단계; 상기 도전층의 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 실릴레이션시켜 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 실릴레이션 영역을 형성하는 단계; 상기 실릴레이션 영역을 이방성 식각하여 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 실릴레이션 스페이서를 형성하며, 상기 도전층의 일부분을 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고 실릴레이션 스페이서를 남기는 단계; 상기 실릴레이션 스페이서를 마스크로 상기 도전층을 식각하여 실린더 모양의 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 실릴레이션 스페이서를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 도전층은 불순물을 포함하는 다결정 실리콘막 또는 비정질 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 실릴레이션은 50 내지 180℃의 온도 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 실릴레이션은 TMDS·HMDS·DMSDEA또는 DMSDMA를 매개로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 실릴레이션 스페이서를 형성하는 단계에서 Cl2·CF4또는 C2F6은 포함하는 혼합 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950028486A KR0170323B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013331A true KR970013331A (ko) | 1997-03-29 |
| KR0170323B1 KR0170323B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19425782
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR0170323B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100349697B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-08-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실릴레이션에 의한 패턴묘사를 이용한 반도체소자의 커패시터형성방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101085759B1 (ko) | 2008-01-16 | 2011-11-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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1995
- 1995-08-31 KR KR1019950028486A patent/KR0170323B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100349697B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-08-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실릴레이션에 의한 패턴묘사를 이용한 반도체소자의 커패시터형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR0170323B1 (ko) | 1999-02-01 |
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