KR970054116A - 반도체소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀이 형성되고 상기 콘택홀을 매립하는 콘택플러그를 형성한 다음, 전체표면상부에 점착층과 루테늄산화막을 순차적으로 형성하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 루테늄산화막과 점착층을 식각한 다음, 상기 루테늄산화막의 표면을 비정질화시켜 비정질화된 루테늄산화막을 소정두께 형성하고 상기 전체표면상부에 비정질화된 고유전체 박막을 조정두께 형성한 다음, 상기 비정질화된 고유전체 박막과 루테늄산화막을 결정화시켜 결정화된 루테늄산화막, 즉 하부전극과 고유전체 박막을 형성하고 전체표면상부에 상부전극을 형성하는 공정으로 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 저장전극 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (6)
- 하부절연층이 형성된 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀이 형성되는 공정과, 상기 콘택홀을 매립하는 콘택플러그를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 점착층과 루테늄산화막을 순차적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 루테늄산화막과 점착층을 식각하는 공정과, 상기 루테늄산화막의 표면을 비정질화시켜 비정질화된 루테늄산화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 전체표면상부에 비정질화된 고유전체 박막을 조정두께 형성하는 공정과, 상기 비정질화된 고유전체 박막과 루테늄산화막을 결정화시켜 결정화된 루테늄산화막, 즉 하부전극과 고유전체 박막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 상부전극을 형성하는 공정으로 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 캐패시터를 형성하는 반도체소자의 캐패시터를 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 루테늄산화막 표면의 비정질화는 Ar 또는 He의 비 반응성 가스로 형성된 플라즈마에서 발생되는 이온을 충돌시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고유전체 박막은 BST 또는 PZT로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 루테늄산화막과 고유전체 박막의 결정화는 O2분위기로 600℃ 이상의 온도에서 고온 열처리공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고유전체 박막은 상기 루테늄산화막의 결정방향에 따라 결정방향이 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066096A KR100331781B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066096A KR100331781B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054116A true KR970054116A (ko) | 1997-07-31 |
| KR100331781B1 KR100331781B1 (ko) | 2002-11-07 |
Family
ID=37479378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066096A KR100331781B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100331781B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436059B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066096A patent/KR100331781B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436059B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100331781B1 (ko) | 2002-11-07 |
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