KR970054022A - 반도체소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 캐패시터 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970054022A
KR970054022A KR1019950052452A KR19950052452A KR970054022A KR 970054022 A KR970054022 A KR 970054022A KR 1019950052452 A KR1019950052452 A KR 1019950052452A KR 19950052452 A KR19950052452 A KR 19950052452A KR 970054022 A KR970054022 A KR 970054022A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ruthenium
forming
film
layer
ruthenium oxide
Prior art date
Application number
KR1019950052452A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100228760B1 (ko
Inventor
선호정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950052452A priority Critical patent/KR100228760B1/ko
Publication of KR970054022A publication Critical patent/KR970054022A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100228760B1 publication Critical patent/KR100228760B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/65—Electrodes comprising a noble metal or a noble metal oxide, e.g. platinum (Pt), ruthenium (Ru), ruthenium dioxide (RuO2), iridium (Ir), iridium dioxide (IrO2)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 매립하는 콘택플러그를 형성한 다음, 전체표면상부에 확산방지막과 루테늄막을 각 각 소정두께 형성하고 급속열처리공정으로 상기 루테늄막 표면에 루테늄산화막을 형성한 다음, 전체표면상부에 유전체막과 상부 루테늄산화막전극을 순차적으로 형성하여 바도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자으 특성, 수율, 생산성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 캐패시터 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 형성공정을 도시한 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체기판의 예정된 부분에 캐패시터 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀에 콘택플러그르 형성하는공정과, 전체표면상부에 확산 방지막과 루테늄막을 각각 소정두께 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한건식식각공정으로 상기 루테늄막과 확산방지막을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 루테늄막을 급속열처리하여 상기 루테늄막 표면에 루테늄산화막을 소정두께 형성하는 공정과, 전체표면상부에 유전체막과 상부 루테늄산화막전극을 순차적으로 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 다결정실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 화학기상증착방법으로 500 내지 3000Å 두께 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 확산방지막은 티타늄질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 루테늄막은 300 내지 5000Å 두께로 형성되는 것을 을 특징으로 하는 반도체 소자의캐패시터 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 루테늄산화막은 산소 분위기에서 급속역처리법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 급속열처리시 기판온도는 400 내지 1000℃하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 BST 또는 PZT가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 상부 루테늄산화막 전극은 화학기상증착법으로 500 내지 2000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 상부 루테늄산화막전극은 내산화성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052452A 1995-12-20 1995-12-20 반도체소자의 캐패시터 형성방법 KR100228760B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950052452A KR100228760B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 반도체소자의 캐패시터 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950052452A KR100228760B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 반도체소자의 캐패시터 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970054022A true KR970054022A (ko) 1997-07-31
KR100228760B1 KR100228760B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=19441698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950052452A KR100228760B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 반도체소자의 캐패시터 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100228760B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100376263B1 (ko) * 2000-10-09 2003-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
KR100510489B1 (ko) * 2001-07-24 2005-08-26 삼성전자주식회사 귀금속 산화막을 포함하는 층에 주름을 형성하여 집적회로 전극 및 캐패시터를 형성하는 방법, 및 그에 의하여제조되는 집적 회로 전극 및 캐패시터

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253076B1 (en) 2000-06-08 2007-08-07 Micron Technologies, Inc. Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers
KR100565767B1 (ko) * 2000-12-21 2006-03-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법
KR100438781B1 (ko) * 2001-12-05 2004-07-05 삼성전자주식회사 금속-절연체-금속 캐패시터 및 그 제조방법
KR100431811B1 (ko) * 2001-12-12 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 캐패시터 형성방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794680A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100376263B1 (ko) * 2000-10-09 2003-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
KR100510489B1 (ko) * 2001-07-24 2005-08-26 삼성전자주식회사 귀금속 산화막을 포함하는 층에 주름을 형성하여 집적회로 전극 및 캐패시터를 형성하는 방법, 및 그에 의하여제조되는 집적 회로 전극 및 캐패시터

Also Published As

Publication number Publication date
KR100228760B1 (ko) 1999-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3887433B2 (ja) 半導体装置のキャパシタの形成方法
KR940020569A (ko) 반도체 장치의 제조방법(Method for manufacturing a Semiconductor memory device)
KR960036062A (ko) 고집적 반도체장치의 캐패시터 및 그 제조방법
KR950007123A (ko) 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법
KR970054022A (ko) 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR970008597A (ko) 원통형 캐패시터의 제조방법
KR970024221A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조 방법(Method for manufacturing of capacitor in semiconductor device)
KR100318453B1 (ko) 이리듐막및백금막의이중막구조의하부전극을갖는캐패시터형성방법
KR970054005A (ko) 반도체소자 캐패시터 형성방법
KR100265333B1 (ko) 반도체 장치의 고유전체 캐패시터 제조방법
KR970054048A (ko) 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR970024207A (ko) 디램 반도체소자의 제조방법(method for fabricating DRAM semiconductor device)
KR970067859A (ko) 반도체장치의 커패시터 형성방법
KR960011816B1 (ko) 반도체소자의 캐패시터 및 그의 제조방법
KR100309127B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100321691B1 (ko) 백금전극을가진반도체소자의캐패시터형성방법
KR970003980A (ko) 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR970054116A (ko) 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR970003996A (ko) 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR950004548A (ko) 반도체소자 제조방법
KR970024217A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조 방법
KR20010008435A (ko) 반도체장치의 제조 방법
KR970030821A (ko) 반도체 장치의 캐패시터 제조방법
KR960030414A (ko) 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR970054074A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100726

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee