KR950007123A - 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR950007123A
KR950007123A KR1019940021503A KR19940021503A KR950007123A KR 950007123 A KR950007123 A KR 950007123A KR 1019940021503 A KR1019940021503 A KR 1019940021503A KR 19940021503 A KR19940021503 A KR 19940021503A KR 950007123 A KR950007123 A KR 950007123A
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thin film
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히로 스즈끼
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세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

DRAM 등을 위해 사용된 메모리 커패시터의 제조에 있어서, 자연적으로 성장된 산화막은 하부 전극의 폴리실리콘층의 면으로부터 제거되고, 커패시터 절연 막을 위한 산화 탄탈륨 막이 그 위에 형성된다. 산화 탄탈륨 막은 산화 플라즈마를 사용하여 600℃ 이하의 온도에서의 산화 처리에 종속된다. 다음에 그 바닥에 적어도 질화 티타늄막을 갖는 상부 전극이 산화 탄탈륨 막 위에 형성된다. 따라서 제조된 메모리 커패시터에 있어서, 전류누출은 감소되고, 커패시터 절연 막의 SiO2등가 두께로 감소된다.

Description

메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 적절한 실시예에 있어서 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조방법을 도시한 개략 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 기판상에 메모리 커패시터의 하부 전극을 제공하는 단계와; 상기 하부 전극상에 높은 절연율을 갖는 절연 박막을 형성시키는 단계와; 상기 절연 박막을 산화 분위기하에서 가열하는 단계와; 상기 절연 박막상에 메모리 커패시터의 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 전극을 제공하는 단계는, 상부면상에서 적어도 폴리실리콘 막과 함께 형성되도록 불순물을 하부 전극안으로 주입시키는 단계와; 상기 하부 전극의 상부면의 폴리실리콘 막위에 자연적으로 발생된 산화막을 희석된 플루오르화 수소산을 사용하여 제거하는 단계와; NH3가스를 사용한 신속한 열적 질소화 작업으로 하부 전극상에 질화 실리콘 막을 생성하기 위해 상기 하부 전극의 상부면의 폴리실리콘 막을 질화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연 박막을 형성시키는 단계는 유기 탄탈륨 원료를 사용하여 CVD법에 의해 산화탄탈륨 막을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연 박막을 가열하는 단계는 산화 분위기하에서 플라즈마를 사용하여 절연 막을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 상부 전극을 형성시키는 단계는 그의 바닥위에 적어도 질화 티타늄 막을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 절연 박막을 가열하는 단계는 룸 온도가 600℃에 달하는 반도체 기판의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 절연 박막을 가열하는 단계는 산소(O2), 산화 질소(N2O) 및 물(H2O)을 포함하는 산소 가스 또는 질소 가스중의 적어도 하나를 사용하여 산화 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 물(H2O)은 합이 1 내지 1000ppm인 산소 가스 또는 질소 가스에 포함되는 것을 특징으로 하는 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940021503A 1993-08-26 1994-08-26 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법 KR950007123A (ko)

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