KR940020569A - 반도체 장치의 제조방법(Method for manufacturing a Semiconductor memory device) - Google Patents

반도체 장치의 제조방법(Method for manufacturing a Semiconductor memory device) Download PDF

Info

Publication number
KR940020569A
KR940020569A KR1019940002769A KR19940002769A KR940020569A KR 940020569 A KR940020569 A KR 940020569A KR 1019940002769 A KR1019940002769 A KR 1019940002769A KR 19940002769 A KR19940002769 A KR 19940002769A KR 940020569 A KR940020569 A KR 940020569A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
film
tantalum oxide
semiconductor device
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019940002769A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0168144B1 (ko
Inventor
사또시 가미야마
Original Assignee
세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤(NEC Corporation)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼모또 다다히로, 니뽄 덴끼 가부시끼가이샤(NEC Corporation) filed Critical 세끼모또 다다히로
Publication of KR940020569A publication Critical patent/KR940020569A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0168144B1 publication Critical patent/KR0168144B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법으로서, 산화 탄탈박막은 콘덴서 소자내의 유전체 막으로서 형성되며, 단위 면적당 커패시턴스를 증가시키며 DRAM 메모리 셀의 콘덴서 소자내 누설전류를 감소시킨다.
본 방법은 콘덴서 소자의 하부 전극을 구성하는 폴리실리콘 막을 형성하는 단계와, 폴리실리콘 막의 표면으로부터 자연 산화막을 제거하는 단계와, 램프-어닐링을 사용하여 급속 열질화 처리(RTN)하여 폴리실리콘의 표면을 질화하는 단계와, 산화 탄탈막을 형성하는 단계와, 산화 탄탈막을 연속적으로 치밀화 처리 및 질화 처리하는 단계와, 상부 콘덴서 전극을 그 위에 형성하는 단계를 포함한다. 본 방법으로 형성된 콘덴서 소자는 단위면적당 큰 커패시턴스 (Cs=13.8fF.㎛2)를 갖는다.

Description

반도체 장치의 제조방법(Method for manufacturing a Semiconductor memory device)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 방법으로 제조된 DRAM 장치의 구조를 도시하는 단면도.

Claims (11)

  1. 기판을 덮는 절연막상에 폴리실리콘 막을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘 막의 표면으로부터 자연 산화막을 제거하는 단계와, 상기 제거후에 질화실리콘 막을 형성하기 위하여 램프 가열하여 상기 폴리실리콘 막의 표면을 질화하는 단계와, 상기 질화실리콘 막상에 산화 탄탈막을 형성하는 단계와, 상기 산화 탄탈막을 연속적으로 치밀화 처리 및 질화 처리하는 단계와, 상기 치밀화 처리 및 질화 처리후 상기 산화 탄탈막상에 전도성막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서 ,상기 폴리실리콘 막, 산화 탄탈막 및 전도성 막은 콘덴서 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 장치는 DRAM인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하는 단계는 무수 플루오르화 수소 및 희석 플루오르화 수소산중 적어도 하나를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘 막을 질화하는 단계는 암모니아 가스를 사용하여 800 내지 1000℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 산화 탄탈막의 형성 단계는 유기 탄탈을 원료로서 사용하여 화학 증착으로 수행되는것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 산화 탄탈막의 치밀화 처리 단계는 산소(O2) 및 이산화질소(N2O)중 적어도 하나를 함유하는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 산화 탄탈막의 치밀화 처리 단계는 전기로, 램프-히터, 플라즈마-이온 발생기중의 하나로 가열하거나 그것들을 조합시켜 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 산화 탄탈막의 질화 처리 단계는 암모니아, 질소 및 이산화질소중 적어도 하나의 플라즈마-이온을 사용하여 가열하므로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 산화 탄탈막의 치밀화 처리 및 질화 처리 단계중 적어도 한 단계는 50내지 500W의 전력으로 0.1내지 10.0토르(Torr)의 압력하에서 실온 내지 500℃의 온도에서 플라즈마-이온을 사용하여 가열하므로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전도성 층은 질화 티탄, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 폴리실리콘으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 한가지 재료로 만들어지거나 그것들을 조합시켜 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임
KR1019940002769A 1993-02-17 1994-02-17 반도체 장치의 제조방법 KR0168144B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5027061A JP2786071B2 (ja) 1993-02-17 1993-02-17 半導体装置の製造方法
JP93-27061 1993-02-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940020569A true KR940020569A (ko) 1994-09-16
KR0168144B1 KR0168144B1 (ko) 1998-12-15

Family

ID=12210559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940002769A KR0168144B1 (ko) 1993-02-17 1994-02-17 반도체 장치의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5352623A (ko)
JP (1) JP2786071B2 (ko)
KR (1) KR0168144B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100292218B1 (ko) * 1997-11-25 2001-07-12 황 철 주 반도체소자제조방법
KR100297628B1 (ko) * 1998-10-09 2001-08-07 황 철 주 반도체소자제조방법
KR100342399B1 (ko) * 1998-05-28 2002-09-18 주성엔지니어링(주) 반도체소자의 제조방법
KR100524685B1 (ko) * 1997-12-27 2006-05-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의고유전체캐패시터제조방법

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2679599B2 (ja) * 1993-12-02 1997-11-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH07161931A (ja) * 1993-12-02 1995-06-23 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5677015A (en) * 1994-03-17 1997-10-14 Sony Corporation High dielectric constant material containing tantalum, process for forming high dielectric constant film containing tantalum, and semiconductor device using the same
US5468687A (en) * 1994-07-27 1995-11-21 International Business Machines Corporation Method of making TA2 O5 thin film by low temperature ozone plasma annealing (oxidation)
JP3271113B2 (ja) * 1994-08-30 2002-04-02 ソニー株式会社 誘電体薄膜の成膜方法
JP2636755B2 (ja) * 1994-11-09 1997-07-30 日本電気株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US6291343B1 (en) * 1994-11-14 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Plasma annealing of substrates to improve adhesion
KR0140657B1 (ko) * 1994-12-31 1998-06-01 김주용 반도체 소자의 제조방법
JP3127348B2 (ja) * 1995-02-27 2001-01-22 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド 凹凸の表面形状を有するタングステン膜を用いた半導体装置の製造方法
US5668040A (en) * 1995-03-20 1997-09-16 Lg Semicon Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device electrode which also serves as a diffusion barrier
US6348708B1 (en) 1995-04-10 2002-02-19 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor device utilizing a rugged tungsten film
US6083849A (en) 1995-11-13 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Methods of forming hemispherical grain polysilicon
US6004839A (en) * 1996-01-17 1999-12-21 Nec Corporation Semiconductor device with conductive plugs
JP2755243B2 (ja) * 1996-01-23 1998-05-20 日本電気株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
US5930584A (en) * 1996-04-10 1999-07-27 United Microelectronics Corp. Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films
JPH1032316A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Nec Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US5731217A (en) * 1996-10-08 1998-03-24 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-level transistor fabrication method with a filled upper transistor substrate and interconnection thereto
KR100282413B1 (ko) * 1996-10-24 2001-03-02 김영환 아산화질소 가스를 이용한 박막 형성 방법
US5872029A (en) * 1996-11-07 1999-02-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming an ultra high density inverter using a stacked transistor arrangement
KR100223890B1 (ko) * 1996-12-31 1999-10-15 구본준 반도체 메모리 소자 및 그의 제조 방법
JP3215345B2 (ja) * 1997-03-19 2001-10-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6153519A (en) * 1997-03-31 2000-11-28 Motorola, Inc. Method of forming a barrier layer
US6218260B1 (en) * 1997-04-22 2001-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby
US5926700A (en) 1997-05-02 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor fabrication having multi-level transistors and high density interconnect therebetween
KR100425145B1 (ko) * 1997-05-24 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의캐패시터제조방법
GB2326279B (en) * 1997-06-11 2002-07-31 Hyundai Electronics Ind Method of forming a capacitor of a semiconductor device
KR100268782B1 (ko) * 1997-06-11 2000-10-16 김영환 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법
US5888872A (en) 1997-06-20 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming source drain junction areas self-aligned between a sidewall spacer and an etched lateral sidewall
US5818069A (en) 1997-06-20 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Ultra high density series-connected transistors formed on separate elevational levels
FR2766211B1 (fr) * 1997-07-15 1999-10-15 France Telecom PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE DE Ta2O5
US6040596A (en) * 1997-07-22 2000-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Dynamic random access memory devices having improved peripheral circuit resistors therein
US5910880A (en) * 1997-08-20 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor circuit components and capacitors
FR2769754B1 (fr) * 1997-10-15 2002-11-15 United Microelectronics Corp Procede de fabrication de dispositifs a circuit integre comprenant a la fois une memoire et des circuits logiques
JPH11195753A (ja) * 1997-10-27 1999-07-21 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH11195711A (ja) 1997-10-27 1999-07-21 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
NL1007403C2 (nl) * 1997-10-30 1999-05-17 United Microelectronics Corp Hoge-K-Diëlektrica voor ingebedde DRAM's.
KR100273987B1 (ko) 1997-10-31 2001-02-01 윤종용 디램 장치 및 제조 방법
US6174811B1 (en) 1998-12-02 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Integrated deposition process for copper metallization
US6228701B1 (en) * 1997-12-19 2001-05-08 Seimens Aktiengesellschaft Apparatus and method for minimizing diffusion in stacked capacitors formed on silicon plugs
US6911371B2 (en) 1997-12-19 2005-06-28 Micron Technology, Inc. Capacitor forming methods with barrier layers to threshold voltage shift inducing material
US6165833A (en) * 1997-12-19 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method of forming a capacitor
US6180481B1 (en) * 1998-01-09 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Barrier layer fabrication methods
US5960294A (en) * 1998-01-13 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a semiconductor device utilizing polysilicon grains
US6458645B2 (en) * 1998-02-26 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Capacitor having tantalum oxynitride film and method for making same
US6191443B1 (en) 1998-02-28 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Capacitors, methods of forming capacitors, and DRAM memory cells
US6162744A (en) * 1998-02-28 2000-12-19 Micron Technology, Inc. Method of forming capacitors having high-K oxygen containing capacitor dielectric layers, method of processing high-K oxygen containing dielectric layers, method of forming a DRAM cell having having high-K oxygen containing capacitor dielectric layers
US6316801B1 (en) 1998-03-04 2001-11-13 Nec Corporation Semiconductor device having capacitive element structure and multilevel interconnection structure and method of fabricating the same
US6730559B2 (en) 1998-04-10 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Capacitors and methods of forming capacitors
US6156638A (en) 1998-04-10 2000-12-05 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry and method of restricting diffusion from one material to another
US6284663B1 (en) * 1998-04-15 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Method for making field effect devices and capacitors with thin film dielectrics and resulting devices
US6165834A (en) * 1998-05-07 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell
US6255186B1 (en) 1998-05-21 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming integrated circuitry and capacitors having a capacitor electrode having a base and a pair of walls projecting upwardly therefrom
KR100315013B1 (ko) * 1998-06-26 2002-04-24 박종섭 반도체소자의캐패시터제조방법
US6201276B1 (en) * 1998-07-14 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Method of fabricating semiconductor devices utilizing in situ passivation of dielectric thin films
US6555455B1 (en) 1998-09-03 2003-04-29 Micron Technology, Inc. Methods of passivating an oxide surface subjected to a conductive material anneal
US5956594A (en) * 1998-11-02 1999-09-21 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for simultaneously forming capacitor plate and metal contact structures for a high density DRAM device
US6251761B1 (en) * 1998-11-24 2001-06-26 Texas Instruments Incorporated Process for polycrystalline silicon gates and high-K dielectric compatibility
KR100326269B1 (ko) * 1998-12-24 2002-05-09 박종섭 반도체소자의고유전체캐패시터제조방법
KR100331271B1 (ko) * 1999-07-01 2002-04-06 박종섭 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
KR100363083B1 (ko) 1999-01-20 2002-11-30 삼성전자 주식회사 반구형 그레인 커패시터 및 그 형성방법
US6143598A (en) * 1999-02-08 2000-11-07 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of fabrication of low leakage capacitor
US6294807B1 (en) 1999-02-26 2001-09-25 Agere Systems Guardian Corp. Semiconductor device structure including a tantalum pentoxide layer sandwiched between silicon nitride layers
KR100317042B1 (ko) 1999-03-18 2001-12-22 윤종용 반구형 알갱이 실리콘을 가지는 실린더형 커패시터 및 그 제조방법
US6764916B1 (en) * 1999-03-23 2004-07-20 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method for semiconductor device
US6417041B1 (en) * 1999-03-26 2002-07-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating high permitivity dielectric stacks having low buffer oxide
US6150209A (en) * 1999-04-23 2000-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Leakage current reduction of a tantalum oxide layer via a nitrous oxide high density annealing procedure
GB2355113B (en) * 1999-06-25 2004-05-26 Hyundai Electronics Ind Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device
KR100358065B1 (ko) * 1999-06-25 2002-10-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100328454B1 (ko) * 1999-06-29 2002-03-16 박종섭 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100327584B1 (ko) * 1999-07-01 2002-03-14 박종섭 반도체소자의 고정전용량 커패시터 형성방법
KR100331270B1 (ko) 1999-07-01 2002-04-06 박종섭 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
GB2358284B (en) 1999-07-02 2004-07-14 Hyundai Electronics Ind Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device
KR100519514B1 (ko) * 1999-07-02 2005-10-07 주식회사 하이닉스반도체 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
US6627542B1 (en) 1999-07-12 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Continuous, non-agglomerated adhesion of a seed layer to a barrier layer
US6313033B1 (en) 1999-07-27 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Ionized metal plasma Ta, TaNx, W, and WNx liners for gate electrode applications
JP3324579B2 (ja) * 1999-09-10 2002-09-17 日本電気株式会社 半導体記憶装置の製造方法
KR100338110B1 (ko) * 1999-11-09 2002-05-24 박종섭 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100482753B1 (ko) * 1999-11-09 2005-04-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100386447B1 (ko) * 1999-12-23 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR100504435B1 (ko) * 1999-12-23 2005-07-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR100313091B1 (ko) * 1999-12-29 2001-11-07 박종섭 반도체장치의 ＴａＯＮ 게이트절연막 형성방법
KR100367404B1 (ko) * 1999-12-31 2003-01-10 주식회사 하이닉스반도체 다층 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
US6319766B1 (en) 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
US7005695B1 (en) 2000-02-23 2006-02-28 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry including a capacitor with an amorphous and a crystalline high K capacitor dielectric region
JP4966466B2 (ja) * 2000-03-13 2012-07-04 公益財団法人国際科学振興財団 酸化膜の形成方法、酸化膜のスパッタリング方法、酸窒化膜のスパッタリング方法、ゲート絶縁膜の形成方法
US6797560B2 (en) * 2000-05-22 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method of manufacturing a capacitor having tantalum oxide film as an insulating film
KR100345065B1 (ko) * 2000-07-11 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
JP2002124650A (ja) 2000-10-17 2002-04-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
KR20020043815A (ko) 2000-12-04 2002-06-12 윤종용 반구형 그레인 커패시터의 제조방법
KR100386450B1 (ko) * 2000-12-29 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 형성방법
KR100355610B1 (ko) * 2000-12-29 2002-10-12 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 유전층 형성방법
JP2002231656A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2002313951A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
US6809370B1 (en) 2003-07-31 2004-10-26 Texas Instruments Incorporated High-k gate dielectric with uniform nitrogen profile and methods for making the same
US7135361B2 (en) * 2003-12-11 2006-11-14 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating transistor gate structures and gate dielectrics thereof
KR100682191B1 (ko) * 2004-06-08 2007-02-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 저장전극 형성 방법
JP2013084918A (ja) 2011-09-27 2013-05-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5861763A (ja) * 1981-10-09 1983-04-12 武笠　均 触感知器消化装置
JPS58131735A (ja) * 1982-01-29 1983-08-05 Fujitsu Ltd タンタルオキサイド膜の製造法
JPS61145584A (ja) * 1984-12-19 1986-07-03 松下電器産業株式会社 アクテイブマトリツクスアレ−
JPH0236559A (ja) * 1988-07-26 1990-02-06 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH04359557A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH0521744A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Sony Corp 半導体記憶装置のキヤパシタおよびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100292218B1 (ko) * 1997-11-25 2001-07-12 황 철 주 반도체소자제조방법
KR100524685B1 (ko) * 1997-12-27 2006-05-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의고유전체캐패시터제조방법
KR100342399B1 (ko) * 1998-05-28 2002-09-18 주성엔지니어링(주) 반도체소자의 제조방법
KR100297628B1 (ko) * 1998-10-09 2001-08-07 황 철 주 반도체소자제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0168144B1 (ko) 1998-12-15
JP2786071B2 (ja) 1998-08-13
US5352623A (en) 1994-10-04
JPH06244364A (ja) 1994-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940020569A (ko) 반도체 장치의 제조방법(Method for manufacturing a Semiconductor memory device)
KR960019735A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조 방법
KR950021655A (ko) 반도체 장치 제조 방법
US5985730A (en) Method of forming a capacitor of a semiconductor device
KR940006260A (ko) 초대규모집적회로내에캐패시터소자를제조하는방법
KR950007123A (ko) 메모리 커패시터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법
JPH11191612A (ja) コンデンサの製造方法
KR100505397B1 (ko) 반도체메모리소자의캐패시터제조방법
JPH07221201A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
KR100415516B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100342873B1 (ko) 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR20000042429A (ko) 반도체 소자의 고유전체 캐패시터 제조방법
US6602722B2 (en) Process for fabricating capacitor having dielectric layer with pervskite structure and apparatus for fabricating the same
KR970054022A (ko) 반도체소자의 캐패시터 형성방법
JP2001053255A (ja) 半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法
KR100373160B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100373162B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100231604B1 (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR970067859A (ko) 반도체장치의 커패시터 형성방법
KR100326237B1 (ko) 오존가스를이용한탄탈륨산화막형성방법및그를이용한반도체소자의캐패시터형성방법
KR100268782B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법
KR100297101B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100297100B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100440777B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR20020018355A (ko) 반도체장치의 캐패시터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030924

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee