KR960019735A - 반도체 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치는 하부 전극의 표면을 증가시키는 조면화된 표면으로 텅스텐막을 가지는 뛰어난 누설 전류 특성의 용량 소자부를 가진다. DRAM등과 같은 VLSI 메모리 회로에 사용되는 용량 소자부는, 박막이고, 조면화된 텅스텐 필름을 화학 기상 성장법에 의해서 폴리실리콘의 하부 전극의 표면상에 선택적으로 형성하고, 폴리실리콘의 하부 전극의 표면상에 용량 절연막을 형성함으로써 제조되여, 용량 절연막을 치밀화하고, 금속 소자의 상부 전극을 형성한다.

Description

반도체 장치 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치로서 DRAM소자의 부분적 구조를 나타내는 단편적인 횡단면도.

Claims (11)

  1. 용량 소자부를 구비한 반도체 장치의 제조방법으로서, 용량 소자부의 폴리실리콘 또는 비정질 실리콘의 하부 전극의 표면으로 부터 자연 산화막을 제거하는 단계, 자연 산화막이 제거된 상기 하부 전극과 고융점 금속의 할로겐 가스를 반응시켜, 하부 전극을 선택적으로 고융점의 금속 또는 고융점의 금속의 실리사이드로 치환하는 단계, 고융점의 금속 또는 고융점의 금속의 실리사이드로 선택적으로 치환된 하부 전극의 부분을 실란 가스에 노출시키고, 그 이후에 고융점의 금속의 할로겐 가스를 실란 가스 또는 수소로 환원하는 것에 의해, 하부 전극의 표면상에 거친 결정립을 선택적으로 최적시키는 단계, 상기 하부 전극상에 용량 절연막을 형성하는 단계, 상기 용량 절연막을 치밀화 및 질화하는 단계, 및, 치밀화 및 질화된 용량 절연막상에 상부 전극을 형성하는 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용량 절연막이 산화 탄탈륨, 산화 티탄늄 산화 니오븀, 산화 하프늄, 또는 산화 이트륨으로 만들어진 고유전체 막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자연 산화막이 무수 불화수소산 또는 희석된 불화수소산에 의해서 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 용량 절연막이 산화 탄탈륨으로 만들어진 고유전체막이고, 산화 탄탈륨으로 만들어 진 상기 고유전체 막이 화학 기상 성장에 의해서 유기계의 탄탈륨 원료로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용량 절연막이 산화 탄탈륨으로 만들어진 고유전체 막이고, 산화 탄탈륨으로 만들어진 상기 고유전체막이 산소, 아산화질소 또는 수분을 포함하는 산소, 또는 이들 조합의 가스 분위기 중에서 전기로 또는 램프로 급속하게 가열하거나 또는 플라즈마에 의해서 치밀화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 산화 탄탈륨으로 만들어진 고유전체막이 200∼600℃의 온도 범위에서 치밀화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 용량 절연막이 산화 탄탈륨으로 만들어진 고유전체막이고, 산화 탄탑륨으로 만들어진 상기 고유전체막이 30∼300ppm의 수분을 포함하는 산소 가스 분위기에서 가열됨으로써 치밀화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 고융점의 금속이 텅스텐, 몰리브덴, 또는 티타늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 상부 전극이 티타늄, 질화 티타늄, 텅스텐, 질화 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 몰리브덴, 질화 몰리브덴, 탄탈륨, 질화 탄탈륨, 폴리 크리스탈린 실리콘 또는 그들의 조합으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 용량 절연막이 산화 탄탈륨으로 만들어진 고유전체 막으로 이루어지고, 산화 탄탈륨으로 만들어진 상기 고유전체막이 암모니아, 질소, 또는 아산화질소의 분위기에서의 플라즈마에 의해서 질화되는 것을 특징으로, 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 상기 용량 소자부가 다이나막 랜덤 액세스 메모리의 용량 셀로서 사용되는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 제조된 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057875A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5696014A (en) * 1994-03-11 1997-12-09 Micron Semiconductor, Inc. Method for increasing capacitance of an HSG rugged capacitor using a phosphine rich oxidation and subsequent wet etch
US5858838A (en) * 1998-02-23 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for increasing DRAM capacitance via use of a roughened surface bottom capacitor plate
JP2671833B2 (ja) * 1994-11-11 1997-11-05 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5612558A (en) 1995-11-15 1997-03-18 Micron Technology, Inc. Hemispherical grained silicon on refractory metal nitride
US6015986A (en) * 1995-12-22 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Rugged metal electrodes for metal-insulator-metal capacitors
KR100282413B1 (ko) * 1996-10-24 2001-03-02 김영환 아산화질소 가스를 이용한 박막 형성 방법
US5849628A (en) * 1996-12-09 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Method of producing rough polysilicon by the use of pulsed plasma chemical vapor deposition and products produced by same
KR100259038B1 (ko) * 1997-03-31 2000-06-15 윤종용 반도체커패시터제조방법및그에따라형성된반도체커패시터
US6218260B1 (en) * 1997-04-22 2001-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby
US6188097B1 (en) 1997-07-02 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Rough electrode (high surface area) from Ti and TiN
US6635523B1 (en) 1997-12-04 2003-10-21 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6165833A (en) * 1997-12-19 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method of forming a capacitor
US6911371B2 (en) * 1997-12-19 2005-06-28 Micron Technology, Inc. Capacitor forming methods with barrier layers to threshold voltage shift inducing material
KR100524685B1 (ko) * 1997-12-27 2006-05-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의고유전체캐패시터제조방법
KR19990055204A (ko) * 1997-12-27 1999-07-15 김영환 반도체 장치의 캐패시터 형성 방법
US6107152A (en) * 1998-02-20 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Method of forming tungsten nitride comprising layers using NF3 as a nitrogen source gas
KR100319888B1 (ko) 1998-06-16 2002-01-10 윤종용 선택적 금속층 형성방법, 이를 이용한 커패시터 형성 및 콘택홀 매립방법
TW403991B (en) * 1998-06-16 2000-09-01 Samsung Electronics Co Ltd Method of forming selective metal layer and method of forming capacitor and filling contact hole using the same
US6004857A (en) * 1998-09-17 1999-12-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to increase DRAM capacitor via rough surface storage node plate
US6303430B1 (en) * 1998-11-04 2001-10-16 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing DRAM capacitor
US6303972B1 (en) 1998-11-25 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Device including a conductive layer protected against oxidation
US7067861B1 (en) * 1998-11-25 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Device and method for protecting against oxidation of a conductive layer in said device
US6265260B1 (en) * 1999-01-12 2001-07-24 Lucent Technologies Inc. Method for making an integrated circuit capacitor including tantalum pentoxide
US6150209A (en) * 1999-04-23 2000-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Leakage current reduction of a tantalum oxide layer via a nitrous oxide high density annealing procedure
JP2001015713A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp 容量性素子
WO2001007677A1 (fr) * 1999-07-26 2001-02-01 Tokyo Electron Limited Procede et appareil de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs
KR20010017208A (ko) * 1999-08-09 2001-03-05 박종섭 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100482753B1 (ko) * 1999-11-09 2005-04-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100319168B1 (ko) * 1999-12-30 2002-01-04 박종섭 반도체소자의 제조방법
US6319766B1 (en) * 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
US6544906B2 (en) * 2000-12-21 2003-04-08 Texas Instruments Incorporated Annealing of high-k dielectric materials
JP4012411B2 (ja) 2002-02-14 2007-11-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
KR100434708B1 (ko) * 2002-08-30 2004-06-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100434709B1 (ko) * 2002-08-30 2004-06-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100524935B1 (ko) * 2002-11-04 2005-10-31 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자의 제조방법
JP4563655B2 (ja) * 2003-04-23 2010-10-13 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
JP2009283658A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Elpida Memory Inc キャパシタ素子用の絶縁膜、キャパシタ素子及び半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079191A (en) * 1985-11-29 1992-01-07 Hitachi, Ltd. Process for producing a semiconductor device
JP2867468B2 (ja) * 1989-09-22 1999-03-08 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
KR930002673B1 (ko) * 1990-07-05 1993-04-07 삼성전자 주식회사 고융점금속 성장방법
US5139974A (en) * 1991-01-25 1992-08-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor manufacturing process for decreasing the optical refelctivity of a metal layer
US5182232A (en) * 1991-04-08 1993-01-26 Micron Technology, Inc. Metal silicide texturizing technique
US5474949A (en) * 1992-01-27 1995-12-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of fabricating capacitor or contact for semiconductor device by forming uneven oxide film and reacting silicon with metal containing gas
JPH0689984A (ja) * 1992-01-27 1994-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3141553B2 (ja) * 1992-08-06 2001-03-05 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3024721B2 (ja) * 1992-10-14 2000-03-21 新日本製鐵株式会社 半導体記憶装置の製造方法
KR960005681B1 (ko) * 1992-11-07 1996-04-30 금성일렉트론주식회사 반도체 메모리 장치의 캐패시터 제조방법
JP2786071B2 (ja) * 1993-02-17 1998-08-13 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5441011A (en) * 1993-03-16 1995-08-15 Nippon Steel Corporation Sublimation growth of single crystal SiC
US5470775A (en) * 1993-11-09 1995-11-28 Vlsi Technology, Inc. Method of forming a polysilicon-on-silicide capacitor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057875A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법

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Publication number Publication date
JP2636755B2 (ja) 1997-07-30
JPH08139288A (ja) 1996-05-31
KR100222455B1 (ko) 1999-10-01
US5622888A (en) 1997-04-22

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