KR940006260A - 초대규모집적회로내에캐패시터소자를제조하는방법 - Google Patents

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Abstract

초대규모 집적회로에 사용된 반도체 디바이스의 캐패시터 소자는 a)폴리실리콘의 하부 전극의 표면상의 본래의 산화물 막(4)를 제거하는 단계, b)하부 전극의 표면상에 불순물 도프된 탄탈륨 산화물 막(5)를 형성하는 단계, b) 및 티타늄 질화물로 구성된 상부 전극의 저부를 갖는 상부 전극(6)을 형성하는 단계를 포함하는 단계들에 의해 형성된다. 이 단계들은 d) 본래의 산화물 막의 하부를 제거한 후 하부 전극의 표면을 질화하는 단계 및 e)탄탈륨 산화물 막의 형성후 고온 열 처리에 의해 탄탈륨 산화물 막(5)를 조밀화하는 단계를 더 포함한다. 이 방법에 있어서, 용량성 절연막의 두께를 감소시킬 수 있고, 누설 전류 특성이 개량된 캐패시터 소자를 형성할 수 있다.

Description

초 대규모 집적회로 내에 캐패시터 소자를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제1실시예에 따른 방법으로 수행되는 캐패시터 소자를 제조하는 연속 단계들을 도시한 단면도,
제3도는 불순물 도프된 탄탈륨 산화물 막의 형성시 사용되는 장치를 도시한 도면,
제4A도 내지 제4D도는 본 발명의 제2실시예에 따른 방법에서 사용되는 캐패시터 소자를 제조하는 연속 단계들을 도시한 단면도.

Claims (9)

  1. 폴리실리콘의 하부 전극(3)의 표면상의 본래의 산화물 막(4)를 제거하는 단계, 상기 하부 전극의 표면상에 불순물로 도프된 탄탈륨 산화물 막(5)를 형성하는 단계, 및 상기 탄탈륨 산화물 막상에 티타늄 질화물로 이루어진 상부 전극의 저부를 갖는 상부 전극(6)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 본래의 산화물 막(4)를 제거하는 상기 단계가 무수의 하이드로플루오르 산을 사용하는 처리인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 불순물이 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 붕소(B), 인(P) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어지는 다수의 그룹인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 탄탈륨 산화물 막(5)를 형성하는 상기 단계가 유기 탄탈륨 물질을 사용하는 화학 증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 탄탈륨 산화물 막(5)를 형성하는 상기 단계가 유기 물질을 사용하는 화학 증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 본래의 산화물 막을 제거하는 상기 단계 이후 폴리실리콘의 상기 하부 전극(3)의 표면을 질화하는 단계 및, 상기 탄탈륨 산화막의 형성후에 고온 열처리를 통해 상기 탄탈륨 산화물 막(5)를 조밀화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 폴리실리콘의 상기 하부 전극(3)의 표면을 질화하는 상기 단계가 암모니아 가스(NH3)를 사용하는 신속 온도 상승 열처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 고온 열처리가 전기로 또는 램프 가열을 사용하는 신속 온도 상승 가열 시스템에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 고온 열 처리가 불활성 가스 분위기 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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