KR960036060A - 반도체 장치의 고유전막/전극 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 고유전막/전극 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

고유전물질로 형성된 유전체막을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는 유전 체막 및 무정질의 탄화규소(SiC)층을 포함하는 전극으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 그레인 경계를 통해 산소 원자가 하지막으로 확산되는 것과, 탄화규소층의 표면에 산화층이 형성되는 것을 방지할 수 있으므로, 등가 산화막의 두께가 필요이상으로 두꺼워지지 않는 고신뢰도의 커패시터 전극을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 고유전막/전극 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예의 방법으로 제조된 반도체 메모리장치의 커패시터를 도시한 다면도이다. 제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다.

Claims (15)

  1. 유전체막: 및 무정질의 탄화규소(SiC)층을 포함하는 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극은, 상기 유전체막과 접하는 탄화규소층과, 상기 탄화규소층과 접하는 불순물이 도우프된 다결절실리콘층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 유전상수가 높은 절연막, 강유전체 및 상유전체 중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극.
  4. 제1항에 있어서, 상기 무정질의 탄화규소에는 불순물 이온이 도우프되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극.
  5. 유전체막을 형성하기 전 또는 후에, 상기 유전체막과 접하는 무정질의 탄화규소(SiC)층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 탄화규소층을 형성하기 전 또는 후에, 불순물이 도우프된 다결정실리콘층을 형성하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,탄화규소층을 형성하는 상기 공정과, 불순물이 도우프된 다결정실리콘층을 형성하는 상기 공정은 각각 동일한 챔버내에서, 진공을 깨지 않은 상태에서, 연속적으로 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 탄화규소층은 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 화학 기상 증착법은 실란(SiH4), 프로판(C3H8) 및 포스핀(PH3)을 소오스 가스로 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 탄화규소층 내의 불순물 이온은 열처리 공정에 의해 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 열처리는, 아르곤(Ar) 분위기, 800℃-1,000℃온도에서, 10초-30초 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장체의 고유전막/전극 제조방법.
  12. 제5항에 있어서, 상기 유전체막은 유전상수가 높은 절연막, 강유전체 및 상유전체 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  13. 반도체기판 상에 불순물이 도우프된 제1다수결정실리콘층을 형성하는 제1공정: 상기 제1다결절실리콘층 상에 무정질의 제1탄화규소층을 형성하는 제2공정: 상기 제1다결정실리콘층 및 제1탄화규소층을 식각대상물로 한 이방성식각을 행하여 패턴을 형성하는 제3공정: 결과물 상에 제2탄화규소층을 형성하는 제4공정: 상기 제2탄화규소층을 이방성식각함으로써, 상기 패턴의 측벽에 제2탄화규소층으로 된 스페이서를 형성하는 제5공정: 결과물 상에 유전체막을 형성하는 제6공정: 상기 유전체막 상에 무정질의 제3탄화규소층을 형성하는 제7공정: 및 상기 제3탄화규소층 상에 불순물이 도우프된 제2다결정실리콘층을 형성하는 제8공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1공정 후에, 상기 제1다결정실리콘의 표면을 수소(H2)로 처리한 후,다시 인(P)으로 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 수소 처리는, 수소 플라즈마, 고온에서의 수소 베이킹(baking) 및 수소 래디컬 중 어느 하나를 사용하여 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 고유전막/전극 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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