KR960026834A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 고농도의 n형 불순물이 도핑된 다수의 비정질실리콘막과 불순물이 도핑되지 않은 다수의 비정질실리콘막을 주기적으로 형성하고 일정온도에서 일정시간 동안에 열공정을 실시하여 상기 불순물을 활성화시키는 동시에 상기 비정질실리콘을 다결정실리콘으로 천이시킨 다음, 상기 도핑된 층과 도핑되지 않은 층이 형성하는 측벽에 요철을 형성한 다음, 고온열공정으로 상기 불순물을 도핑되지 않은 다결정실리콘막까지 확산시켜 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 고집적화에 충분한 정전용량을 가지는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 생산성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하며 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1B도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기관 상부에 불순물 도핑된 다수의 제1도전층과 불순물이 도핑되지 않은 다수의 제2도전층을 주기적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 다수의 제2도전층과 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 제1도전층을 활성화시키는 공정과, 상기 제1도전층을 측면식각하여 요철형상을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층의 불순물을 상기 제2도전층에 확산시켜 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2도전층은 SiH4와 PH3가스를 이용하여 450자 내지 550℃의 온도에서 In-situ 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2도전층은 Si2H6와 PH3가스를 이용하여 450내지 550℃의 온도에서 In-situ 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캐패시터는 제1,2도전층의 수에 의하여 정전용량이 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전층 활성화공정은 600 내지 700℃의 온도에서 삼십분 내지 다섯시간 동안에 열공정을 실시함으로써 상기 제1도전층에 함유된 불순물이 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 불순물은 인이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전층의 측면식각은 상기 제2도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 플라즈마식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서. 상기 제2도전층으로의 불순물 확산공정은 600 내지 1500℃의 열공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037492A KR960026834A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037492A KR960026834A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026834A true KR960026834A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66775770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940037492A KR960026834A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026834A (ko) |
-
1994
- 1994-12-27 KR KR1019940037492A patent/KR960026834A/ko not_active Application Discontinuation
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