KR980005806A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, BPSG막에 함유된 도펀트의 배출에 의한 결함의 발생을 방지하기 위하여 BPSG막을 도포한 후 상기 BPSG막상에 보호막을 형성한다. 그리고 플로우 공정을 실시하여 상기 BPSG막의 표면을 평탄화시킨 후 상기 보호막을 제거하고 상기 BPSG막상에 산화막을 형성한다. 따라서 후속 열처리 공정시 상기 BPSG막에 함유된 도펀트의 배출에 의한 결함의 발생이 방지되어 소자의 절연 특성이 향상되며, 불량의 발생이 방지되어 소자의 수율이 향상될 수 있는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 층간 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 제2d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법을설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법에 있어서, 소자 제조공정을 거친 실리콘 기판상에 제1산화막을 형성한 후 상기 제1산화막상에 BPSG막을 도포하는 단계와, 상기 BPSG막상에 보호막을 형성한 후 플로우 공정을 실시하여 상기 BPSG막의 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 보호막을 제거한 후 상기 BPSG막상에 제2산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 불순물 이온이 도핑되지 않은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 보호막은 250 내지 350Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 블랜켓 식각 방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
  6. 제1 또는 제5항에 있어서, 상기 제2산화막은 TEOS를 소오스 가스로 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
  7. 제1 또는 제5에 있어서, 상기 보호막은 15내지 20Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960022783A 1996-06-21 1996-06-21 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 KR100223288B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100872981B1 (ko) * 2007-07-19 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 제조방법

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