KR970023823A - 반도체 소자의 층간절연막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 층간절연막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
층간 절연막의 불순물의 농도가 높을 때에는 대기중에 노출될 때 층간절연막 표면이 오염되고 불순물 공핍층이 형성되어 균일성을 잃고 단차가 생긴다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
종래의 층간절연막 상에 산화막을 한층 더 형성하므로써, 제조공정중 대기중에 노출되어도 오염되지 않고 스텝커버리지를 양호하게 유지하는 층간절연막을 형성하고자 함.
4. 발명의 주요한 용도
반도체 소자의 층간절연막을 형성하는데 주로 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 층간절연막 형성 방법에 따라 형성된 반도체 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 층간절연막을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 모스 트랜지스터 및 캐패시터가 형성된 구조 상에 층간 절연을 위한 제1산화막과 도핑된 유리막을 차례로 증착하는 단계와, 상기 도핑된 유리막의 표면을 보호하기 위한 제2산화막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 층간절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑된 유리막은 보로-포스포러스-실리케이트-글래스막인 것을 특징으로 하는 층간절연막 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도핑된 유리막의 두께는 약 3000Å인 것을 특징으로 하는 층간절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막의 두께는 약 500Å 내지 1000Å인 것을 특징으로 하는 층간절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 인시튜 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 층간절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034846A KR970023823A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 소자의 층간절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034846A KR970023823A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 소자의 층간절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023823A true KR970023823A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950034846A KR970023823A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 소자의 층간절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023823A (ko) |
-
1995
- 1995-10-11 KR KR1019950034846A patent/KR970023823A/ko not_active Application Discontinuation
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