KR970054155A - 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 ONO구조의 유전층을 갖는 캐패시터의 형성방법을 제공하기 위한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 캐패시터 형성방법은 반도체 기판의 소정 부분과 소자 분리 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 소오스/드레인 전극과, 전면에 절연막을 소정 두께로 형성하는 단계; 절연막의 소정 부분에 하부의 소오스 영역과의 콘택을 위한 콘택홀을 형성하는 단계; 전면에 제1폴리실리콘을 증착하는 단계; 제1폴리실리콘에 불순물을 도핑한 다음, 반도체 기판 상부의 게이트 전극의 소정 부위로부터 소자 분리 산화막 상부의 게이트 전극의 소정 영역에 이르는 제1폴리 실리콘만을 남기는 제1폴리실리콘 패턴을 형성하는 단계; 전면에 소정 두께의 지롸막과 산화막을 순차적으로 증착하여 상기 제1폴리실리콘 패턴을 덮는 부분을 남기고 제거하는 단계; 전면에 제2ㅍㄹ리실리콘을 소정 두께로 증착하고 불순물을 도핑한 다음, 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부한 도면은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 형성방법을 설명하는 공정 흐름도.
Claims (1)
- 산화막/질화막/산화막의 유전층을 갖는 반도체 소자의 캐패시터의 형성방법에 있어서, 반도체 기판의 소정 부분에 소자 분리절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상부의 소정 위치와 소자 분리 절연막 상부의 소정위치에 게이트 전극을 형성하는 단게; 반도체기판의 전면에 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계; 전면에 절연막을 소정 두께로 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상부의 게이트 전극과 소자 분리 산화막 상부의 게이트 전극 사이의 절연막의 소정 부분에 하부의 소오스 영역과의 콘택을 위한 콘택홀을 형성하는 단계; 전면에 제1폴리실리콘을 증착하는 단계; 상기 제1폴리실리콘에 불순물을 도핑한 다음, 반도체 기판 상부의 게이트 전극의 소정 부위로부터 소자 분리 산화막 상부의 게이트 전극의 소정 영역에 이르는 제1폴리실리콘만을 남기는 제1폴리실리콘 패턴을 형성하는 단계; 전면에 소정 두께의 질화막과 산화막을 순차적으로증착하여 상기 제1폴리실리콘 패컨을 덮는 부분을 남기고 제거하는 단계; 전면에 제2폴리실리콘을 소정 두께로 증착하고 불순물을 도핑한 다음, 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069601A KR970054155A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069601A KR970054155A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054155A true KR970054155A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66639777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069601A KR970054155A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054155A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069601A patent/KR970054155A/ko not_active Application Discontinuation
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