KR980005882A - 모스 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단채널 현상을 개선시킬 수 있는 모스 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 본 발명은 반도체 기판에 소정 깊이의 트렌치를 형성하여, 이 트렌치내에 게이트 전극을 매립시켜 형성시키고, 소오스, 드레인 영역을 LDD구조로 형성하는 대신 폴리실리콘막에 고동도 불순물이 이온 주입되어, 소오스, 드레인 영역을 형성하므로써, 리에 아웃상의 게이트 전극 폭을 일정하며, 실질적인 게이트 전극 폭은 증대시키어, 소자의 단채널 현상이 개선된다.

Description

모스 트랜지스터 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 모스 트랜지스터의 형성방법을 각 공정 순서적으로 나타낸 단면도.

Claims (3)

  1. 필드 산화막이 구비된 반도체 기판을 제공하는 단계; 필드 산화막 사이의 기판을 일정 깊이만큼 식각하여 제1트렌치를 형성하는 단계; 상기 구조물 상부에 소오스/드레인용 물질을 증착하는 단계; 상기 소오스/드레인용 물질 상부에 게이트 전극 예정영역이 노출되도록 마스크 패턴 형성하는 단계; 마스크 패턴에 의하여 소오스/드레인용 물질 및 지판을 식각하여 제2 트랜치 및 소오스, 드레인을 형성하는 단계; 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 제2트랜치 내벽과 하단 및 제2 트랜치의 인접하는 기판 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인용 물질은 기판의 불순물과 다른 타입의 불순물이 고농도로 이온 주입된 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항 있어서, 상기 제1트랜치는 소오스, 드레인 영역의 깊이 두께만큼 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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