KR950021745A - 반도체 장치의 모스형 전계효과 트랜지스터(mosfet) 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 모스형 전계효과 트랜지스터(mosfet) 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체장치의 MOSFET 제조공정으로서 특히 채널부위를 제외한 소스/격리영역/드레인 하단에 O2이온주입으로 산화막을 형성하는 것으로서, 먼저(가)반도체 기판위에 이온주입 장애막을 형성하는 단계와, 이온주입 장애막의 소정부분을 제거하여 이온의 측면확산을 고려한 채널영역을 보호하는 이온주입 장애막 패턴을 정의하는 단계와, (나)노출된 반도체기판에 이온주입을 실시하여 이온매몰층을 형성하는 단계와, (다)반도체기판표면에 활성영역과 격리영역을 형성하는 단계와, (라)일반적인 방법으로 활성영역에 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스/드레인을 형성하는 단계로 이루어진다.

Description

반도체장치의 모스형 전계효과 트랜지스터(MOSFET)제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 MOSFET 제조방법.
제3도는 일반적인 MOSFET의 누설전류 경로.

Claims (10)

  1. 반도체소자 제조에 있어서,(가)반도체 기판위에 이온주입 장애막을 형성하는 단계와, 상기 이온주입 장애막의 소정부분을 제거하여 이온의 측면확산을 고려한 채널영역을 보호하는 이온주입 장애막 패턴을 정의하는 단계와, (나)노출된 상기 반도체 기판에 이온주입을 실시하여 이온매몰층을 형성하는 단계와, (다)상기 반도체 기판 표면에 활성영역과 격리영역을 형성하는 단계와, (라)일반적인 방법으로 상기 활성영역에 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스/드레인을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  2. 제1항에 있어서, (라)단계에는 후확산 공정(well drive-in)을 추가로 포함하여 이루어진 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  3. 제1항에 있어서, (나)단계에서 상기 이온주입을 O2를 사용하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 O2대신 N2을 사용하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  5. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기 이온매몰층은 후확산 공정에서 절연층으로 변하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절연층은 산화막으로 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 절연층은 질화막으로 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  8. 제1항에 있어서, (다)단계에서 상기 활성영역과 격리영역은 열산화공정으로 필드산화막을 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 열산화공정을 트랜치 격리영역 형성방법으로 대체하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
  10. 제1항에 있어서, (나)단계 및 (다)단계에서 상기 이온매몰층의 표면과 상기 격리영역의 하단면이 접하도록 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 MOSFET제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980033888A (ko) * 1996-11-02 1998-08-05 김영환 모스 트랜지스터 및 그의 제조 방법

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KR19980033888A (ko) * 1996-11-02 1998-08-05 김영환 모스 트랜지스터 및 그의 제조 방법

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