KR960019608A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 쇼트채널효과를 개선하기 위해서 산화 및 식각공정을 통해 실리콘기판의 채널영역 및 접합영역의 일부를 곡면의 리세스구조로 형성하고 그 곡면을 따라 채널이 형성되도록 하므로써 면적을 증가시키지 않으며 채널길이를 증가시키므로써 문턱전압 및 펀치쓰루우전압등의 증가로 쇼트채널효과가 개선될수 있도록 한 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘기판상에 패드 산화막 및 질화막을 순차적으로 형성시킨후 채널영역이 노출되도록 상기 질화막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 실리콘기판의 노출된 부분을 산화시켜 산화막을 두껍게 형성한 후 상기 질화막 및 산화막을 순차적으로 제거하여 실리콘기판을 곡면의 리세스구조로 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 문턱전압의 조정을 위해 불순물이온을 주입한 후 전체상부면에 게이트산화막 및 폴리실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 게이트산화막 및 폴리실리콘층을 패터닝하여 상기 곡면으로 리세스된 부분에 게이트전극을 형성시키는 단계와, 상기 단계로 부터 불순물이온을 주입하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인영역은 채널영역 보다 높은 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030598A KR960019608A (ko) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030598A KR960019608A (ko) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019608A true KR960019608A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940030598A KR960019608A (ko) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019608A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567076B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트랜지스터 제조방법 |
| KR20140046697A (ko) * | 2012-10-10 | 2014-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-11-21 KR KR1019940030598A patent/KR960019608A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567076B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트랜지스터 제조방법 |
| KR20140046697A (ko) * | 2012-10-10 | 2014-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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