KR970003962A - 반도체 소자의 고집적 트렌지스터 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자의 고집적 트렌지스터 제조 방법 Download PDF

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KR970003962A
KR970003962A KR1019950019356A KR19950019356A KR970003962A KR 970003962 A KR970003962 A KR 970003962A KR 1019950019356 A KR1019950019356 A KR 1019950019356A KR 19950019356 A KR19950019356 A KR 19950019356A KR 970003962 A KR970003962 A KR 970003962A
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forming
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KR1019950019356A
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Inventor
장명식
양예석
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 요구되는 소자의 크기 축소면에서 종래의 방법으로는 소자의 크기는 줄어들지만 쇼트채널효과 등의 부수적 악영향이 생겨 소 자의 수율이 떨어진다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
반도체 기판을 일부 습식식각하여 굴곡을 형성한 후 그 굴곡을 따라 게이트 전극을 형성하므로써 종래의 방법에 의한 게이트전극보다 평면성 크기는 줄어들면서 같은 채널길이를 확보할 수 있는 고집적 트렌지스터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 고집적 트렌지스터를 제조하는데 주로 이용됨.

Description

반도체 소자의 고집적 트렌지스터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 고집적 트렌지스터 제조 방법에 따른 공정도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 고집적 트렌지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 웰이 형성되고 필드 산화막이 형성된 구조 상에 패드 산화막을 증착하고 두개의 게이트 전극과 하나의 접합부가 형성될 부분이 오픈된 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제1포토 레지스트 패턴의 하부로 언더컷이 형성되도록 상기 반도체 기판의 일부를 습식식각하는 단계와, 상기 패드 산화막을 제거한 후, 습식식각되어 형성된 반도체 기판의 굴곡을 따라 게이트 전극을 형성하는 단계 및, 접합부 및 측벽스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 고집적 트렌지스터 제조 방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950019356A 1995-06-30 1995-06-30 반도체 소자의 고집적 트렌지스터 제조 방법 KR970003962A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020038883A (ko) * 2000-11-18 2002-05-24 임종섭 압력식 구이방법 및 구이장치
KR100316075B1 (ko) * 1997-11-10 2002-07-02 조창환 식품조리용고온축열기

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KR100316075B1 (ko) * 1997-11-10 2002-07-02 조창환 식품조리용고온축열기
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