KR940016920A - 저부게이트 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저부게이트 박막트랜지스터 제조방법에 있어서, 게이트전극 상부에 소오스/드레인용 폴리실리콘층을 식각하는 공정에서 게이트전극 측벽에 폴리실리콘 스트링거가 남는 것을 방지하기 위해 게이트전극의 상부 모서리가 경사지게 형성하는 공정기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의한 저부게이트 박막트랜지스터를 제조한 단면도.
Claims (2)
- 저부게이트 박막트랜지스터 제조방법에 있어서, 절연층 상부에 게이트전극용 폴리실리콘층을 형성하고, 그 상부에 게이트전극 마스크용 감광막 패턴을 도포하고, 노출된 게이트 전극용 폴리실리콘층을 식각하되, 상부 모서리가 경사진 게이트전극용 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극 마스크용 감광막 패턴을 제거하고 전체구조 상부에 게이트산화막과 소오스/드레인용 폴리실리콘층을 적층하고, 소오스/드레인 마스크용 감광막 패턴을 이용한 식각공정으로 소오스/드레인용 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저부게이트 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극용 폴리실리콘층 패턴 상부 모서리가 경사지게 하기 위해 게이트전극용 폴리실리콘층을 식각할때 1단계식각 공정으로 등방성식각을 실시하고, 2단계식각 공정으로 이방성식각을 실시하는 것을 특징으로 하는 저부게이트 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100903455B1 (ko) * | 2007-08-27 | 2009-06-18 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026705A patent/KR960000227B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100903455B1 (ko) * | 2007-08-27 | 2009-06-18 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR960000227B1 (ko) | 1996-01-03 |
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