KR960026165A - 반도체 소자 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 제조공정에 관한 것으로, 특히 고집적 고속 트랜지스터 제조에 적당하도록 한 반도체 소자 콘택홀(Contact Hole)형성방법에 관한 것이다.
기판상에 불순물 확산으로 소오스 및 드레인영역을 형성하고 상기 전면에 게이트용 제1절연막을 증착하는 공정, 상기 제1절연막상에 감광막을 도포한뒤 노광 및 식각공정으로 콘택홀영역이 형성될 부분의 실리콘 기판까지 에칭하는 공정, 상기감광막을제거한 후 노출된 전면에 제2절연막을 증착한뒤 사이드월 에칭을 하는 공정, 상기 콘택홀 영역의 밑부분을 선택적으로 열산화하는 공정, 상기 사이드월 제2절연막을 제거하고 노출 전면에 금속층을 증착하는 공정을 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 콘택홀 형성 공정단면도.
Claims (1)
- 불순물 확산영역이 형성된 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 불순물 확산영역상에 제1절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하고 노출된 불순물 확산영역을 제거하는 공정과, 상기 콘택홀내의 측면에 제2절연막 측벽을 형성하고, 노출된 콘택홀 바닥에 열산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 측벽을 제거하고 전면에금속층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035303A KR0142786B1 (ko) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 반도체 소자 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035303A KR0142786B1 (ko) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 반도체 소자 콘택홀 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026165A true KR960026165A (ko) | 1996-07-22 |
| KR0142786B1 KR0142786B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19402414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035303A KR0142786B1 (ko) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 반도체 소자 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0142786B1 (ko) |
-
1994
- 1994-12-20 KR KR1019940035303A patent/KR0142786B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0142786B1 (ko) | 1998-08-17 |
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