KR910013511A - 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2 (A)-(G)도는 본 발명에 의한 제조공정도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반도체기판(10)의 상부에 제1산화막(20)을 도포하고, 마스크공정에 의해 상기 반도체기판(10) 상부의 소정영역을 노출되도록 제1개구(11)를 형성한 다음, 상기 반도체기판(10)의 전면에 상기 제1개구(11)를 통하여 상기 반도체기판(10)과 동일한 도전형의 이온불순물을 주입하는 제1공정과, 상기 제1공정에서 사용된 마스크 물질을 제거한 다음, 상기 반도체기판(10) 전면에 다결정 실리콘층(40) 및 질화막(50)을 순차적으로 형성하고 도포레지스터(60)에 의해 제2개구(12)를 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에서의 포토레지스터(60)를 마스크물질로 하여 상기 질화막(50)의 상기 제2개구(12)에 의해 노출된 부분을 식각하여 상기 다결정 실리콘층(40)의 일부 표면을 노출시키는 제3공정과, 상기 제3공정에서 노출된 다결정 실리콘층(40)의 일부 표면으로부터 열산화공정에 의해 소자분리 산화막(70)을 성장시켜 형성하는 제4공정과, 상기 제4공정의 구조전면에 열산화공정을 행하여 상기 소자분리 산화막의 두께를 크게하는 제5공정이 연속적으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2개구(12)가 상기 제1개구(11)보다 작은 폭을 가짐을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정에서 다결정 실리콘층(40)이 소자분리 산화막(70)이 성장에 필요한 실리콘 공급원임을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890020101A KR910013511A (ko) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890020101A KR910013511A (ko) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910013511A true KR910013511A (ko) | 1991-08-08 |
Family
ID=67662368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890020101A KR910013511A (ko) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910013511A (ko) |
-
1989
- 1989-12-29 KR KR1019890020101A patent/KR910013511A/ko not_active IP Right Cessation
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