KR890005851A - 반도체 장치의 소자분리 방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자분리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2(A)-(D)도는 본 발명에 따른 제조공정도.
Claims (1)
- 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 실리콘 반도체 기판(11)상에 마스킹을 위한 산화막(12)과 제 1질화막층(13)을 형성하고 필드 영역 형성을 위한 창(14)을 형성하는 제 1공정과, 기판 전면에 제 2질화막층(15)을 형성하고 별도의 마스크 없이 상기 제 2질화막층(15)을 건식 식각하여 질화막 스페이서(16)를 형성하는 제 2공정과, 상기 질화막(13)(16)을 산화 마스크로 하여 필드 산화막(17)을 형성하는 제 3공정을 구비하여 상기 공정의 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010926A KR890005851A (ko) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010926A KR890005851A (ko) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890005851A true KR890005851A (ko) | 1989-05-17 |
Family
ID=68343721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR870010926A KR890005851A (ko) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890005851A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249167B1 (ko) * | 1997-06-13 | 2000-03-15 | 김영환 | 격리막 형성 방법 |
-
1987
- 1987-09-30 KR KR870010926A patent/KR890005851A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249167B1 (ko) * | 1997-06-13 | 2000-03-15 | 김영환 | 격리막 형성 방법 |
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