KR960005939A - 반도체 소자분리막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자분리막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판(21)의 예정된 소자분리영역을 소정깊이로 식각하는 제1단계, 상기 식각된 반도체 기판(21) 내부에 폴리실리콘막(23)을 형성하는 제2단계, 상기 폴리실리콘막(23)을 산화하여 산화막(25)을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 소자분리 산화막 형성을 위한 산화시 필요한 실리콘막을 증착방법으로 제공하여 실리콘 기판의 산화가 일어나지 않도록 하며, 질화막 스페이서를 사용하여 산화제의 측면 침투를 차단함으로써 새분리 현상을 방지하여 소자형성지역을 넓히는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 소자 분리막 형성 공정도이다.
Claims (2)
- 반도체 기판(21)의 예정된 소자분리영역을 소정깊이로 식각하는 제1단계, 상기 식각된 반도체 기판(21) 내부에 폴리실리콘막(23)을 형성하는 제2단계, 상기 폴리실리콘막(23)을 산화하여 산화막(25)을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계 이후, 식각된 반도체 기판(21) 측벽에 질화막 스페이서(22)를 형성하는 단계를 실시하고 제2단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017022A KR960005939A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 반도체 소자분리막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017022A KR960005939A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 반도체 소자분리막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005939A true KR960005939A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940017022A KR960005939A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 반도체 소자분리막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960005939A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100245090B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2000-03-02 | 김영환 | 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법 |
-
1994
- 1994-07-14 KR KR1019940017022A patent/KR960005939A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100245090B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2000-03-02 | 김영환 | 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법 |
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