KR980006079A - 반도체장치의 소자 분리막 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 소자 분리막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980006079A KR980006079A KR1019960025389A KR19960025389A KR980006079A KR 980006079 A KR980006079 A KR 980006079A KR 1019960025389 A KR1019960025389 A KR 1019960025389A KR 19960025389 A KR19960025389 A KR 19960025389A KR 980006079 A KR980006079 A KR 980006079A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- oxidation
- film
- etching
- spacers
- Prior art date
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 장치 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1 산화방지막을 형성하는 단계; 소자분리 마스크를 사용하여 상기 제1 산화방지막 및 상기 반도체 기판의 소정 깊이를 선택식각하여 트렌치 구조를 형성하는 단계; 상기 선택식각에 의해 형성된 트렌치 구조의 측벽에 제2 산화방지막 스페이서를 형성한 후, 상기 제2 산화방지막 스페이서를 식각장벽으로 등방성 식각을 실시하는 단계; 상기 등방성 식각에 의해 노출된 반도체 기판 및 상기 제2 산화방지막 스페이서 측벽에 제3 산화방지막 스페이서를 형성하는 단계; 열산화 공정에 의해 소자 분리막을 형성하는 단계; 상기 제1 산화방지막과 제2 및 제3 산화방지막 스페이서를 제거하는 단계; 및 노출된 실리콘 기판상에 희생산화막을 형성하고, 식각하여 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법에 관한 것으로, 소자간 절연막인 소자분리막 형성 공정을 트렌치 구조로 형성하는 방법과 열산화 공정에 의한 방법을 병행하여 형성함으로써, 버즈 비크 현상과 소자분리 영역과 활성영역간의 단차를 최소화함으로써 후속 공정시 야기되기 쉬운 넥킹 현상을 억제하여 소자의 신뢰성 향상과 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지제2d도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 장치 분리막 형성 공정 단면도이다.
Claims (4)
- 반도체 장치 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1 산화방지막을 형성하는 단계; 소자분리 마스크를 사용하여 상기 제1 산화방지막 및 상기 반도체 기판의 소정 깊이를 선택식각하여 트렌치 구조를 형성하는 단계; 상기 선택식각에 의해 형성된 트렌치구조의 측벽에 제2 산화방지막 스페이서를 형성한 후, 상기 제2 산화방지막 스페이서를 식각장벽으로 등방성 식각을 실시하는 단계; 상기 등방성 식각에 의해 노출된 반도체 기판 및 상기 제2 산화방지막 스페이서 측벽에 제3 산화방지막 스페이서를 형성하는 단계; 열산화 공정에 의해 소자 분리막을 형성하는 단계; 상기 제1 산화방지막과 제2 및 제3 산화방지막 스페이서를 제거하는 단계; 및 노출된 실리콘 기판상에 희생산화막을 형성하고, 식각하여 평탄화하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 산화방지막은 상기 반도체 기판상에 차례로 적층된 패드 산화막 및 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 및 제3 산화방지막 스페이서는 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 자치의 소자 분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희생산화막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025389A KR980006079A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체장치의 소자 분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025389A KR980006079A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체장치의 소자 분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006079A true KR980006079A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025389A KR980006079A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체장치의 소자 분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006079A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500923B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025389A patent/KR980006079A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500923B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW362256B (en) | Isolation method in a semiconductor device | |
| KR960039276A (ko) | 반도체 장치의 소자분리방법 | |
| KR970030640A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR970053386A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR980006079A (ko) | 반도체장치의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR980006066A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR960015711A (ko) | 이중 스토퍼를 이용한 소이(soi) 웨이퍼 제조방법 | |
| KR960012425A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR960026618A (ko) | 반도체소자의 소자분리 절연막의 제조방법 | |
| KR970053497A (ko) | 반도체 기판에서의 소자간 격리방법 | |
| KR970008482A (ko) | 반도체 장치 소자분리 방법 | |
| KR960019513A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
| KR960005939A (ko) | 반도체 소자분리막 형성 방법 | |
| KR960039270A (ko) | 반도체소자 격리막 및 그 제조방법 | |
| KR970003520A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960002714A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR950021362A (ko) | 반도체 소자 격리방법 | |
| KR980006085A (ko) | 미세 트랜치를 이용한 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR960026575A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970072472A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970072309A (ko) | 반도체 소자의 분리 방법 | |
| KR970018355A (ko) | 반도체 소자분리막 형성방법 | |
| KR970023736A (ko) | 반도체장치의 콘택부 형성방법 | |
| KR970072180A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
| KR970053396A (ko) | 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |