KR970018355A - 반도체 소자분리막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판상에 상기 반도체 기판 산화마스크막 및 상기 반도체 기판 식각마스크막을 차례로 적층하는 제1단계; 예정된 소자분리영역의 반도체 기판 일부가 노출되도록 상기 식각마스크막 및 산화마스크막을 패터닝하는 제2단계; 상기 노출된 반도체 기판을 기판의 소정깊이로 식각하여 트렌치를 형성하는 제3단계; 전체구조 상부에 절연물질을 형성하는 제4단계; 상기 절연물질을 에치백하여 상기 트렌티 내부에만 절연물질을 형성하는 제5단계; 상기 식각마스크막을 제거하는 제6단계; 및 열산화공정으로 상기 트렌치 내부에 매립된 절연물질을 산화시키는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 소자분리 지역을 실리콘 기판의 하부에 형성해 주므로서 소자가 형성되는 지역을 안정되게 확보할 수 있으며, 또한 전체적인 토플로지가 개선되어 후속으로 진행되는 공정의 난이도를 개선하여 소자의 신뢰도 및 제조 수율 증가의 효과를 가져온다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 일실시예에 따른 소자분리막 형성 공정도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소자분리막 형성 단면도.
Claims (11)
- 반도체 기판상에 상기 반도체 기판 산화마스크막 및 상기 반도체 기판 식각마스크막을 차례로 적층하는 제1단계; 예정된 소자분리영역의 반도체 기판 일부가 노출되도록 상기 식각마스크막 및 산화마스크막을 패터닝하는 제2단계; 상기 노출된 반도체 기판을 기판을 소정깊이로 식각하여 트렌치를 형성하는 제3단계; 전체구조 상부에 절연물질을 형성하는 제4단계; 상기 절연물질을 에치백하여 상기 트렌티 내부에만 절연물질을 형성하는 제5단계; 상기 식각마스크막을 제거하는 제6단계; 및 열산화공정으로 상기 트렌치 내부에 매립된 절연물질을 산화시키는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6단계는 상기 식각마스크막을 제거한 후, 패터닝된 상기 식각마스크막 및 산화마스크막 측벽에 산화방지막 스페이서를 형성하는 제8단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3단계는, 상기 트렌치 형성후, 상기 트렌치 내부를 세정하고 상기 트렌치 내부의 손상층을 제거하는 제9단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연물질은 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반도체 기판 식각마스크막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 절연물질은 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 반도체 기판 식각마스크막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 반도체 기판 산화마스크막은 산화막, 폴리실리콘막 및 질화막이 상기 반도체 기판상에 차례로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 반도체 기판 산화마스크막은 산화막, 폴리실리콘막 및 질화막이 상기 반도체 기판상에 차례로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 절연물질과 트렌치 부위 실리콘 기판 사이 계면에 스트레스 방지를 위한 버퍼 산화막을 형성하는 제10단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 절연물질과 트렌치 부위 실리콘 기판 사이 계면에 스트레스 방지를 위한 버퍼 산화막을 형성하는 제10단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950028820A KR970018355A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950028820A KR970018355A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018355A true KR970018355A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950028820A KR970018355A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018355A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448232B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
-
1995
- 1995-09-04 KR KR1019950028820A patent/KR970018355A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448232B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
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