KR970053396A - 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 - Google Patents
고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘 기판(1)상에 패드 산화막(2), 질화 실리콘막(3)을 차례로 증착하는 제1단계; 상기 질화 실리콘막(3) 및 상기 패드 산화막(2)을 소정의 크기로 차례로 패턴하여 상기 실리콘 기판(1)의 필드영역을 노출시키는 제2단계; 전체구조 상부에 실리콘 질화막(6)과 실리콘 산화막(7)을 차례로 증착하는 제3단계; 상기 실리콘 산화막(7)만을 전면 식각하여 실리콘 산화막 스페이스(8)를 형성하는 제4단계; 상기 실리콘 산화막 스페이스(8)를 식각 장벽으로 하여 노출된 상기 실리콘 질화막(6)을 식각하여 상기 실리콘 기판(1)의 일부영역이 노출되도록 하면서 L자형 실리콘 질화막 스페이서(9)를 형성하는 제5단계; 및 노출된 상기 실리콘 기판(1)을 산화시키는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명에 따른 소자분리 산화막의 제조방법을 나타내는 공정 단면도.
Claims (12)
- 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상에 패드 산화막, 질화 실리콘 막을 차례로 증착하는 제1단계; 상기 질화 실리콘막 및 상기 패드 산화막을 소정의 크기로 차례로 패턴하여 상기 실리콘 기판의 필드영역을 노출시키는 제2단계; 전체구조 상부에 실리콘 질화막과 실리콘 산화막을 차례로 증착하는 제3단계; 상기 실리콘 산화막만을 전면 식각하여 실리콘 산화막 스페이스를 형성하는 제4단계; 상기 실리콘 산화막 스페이스를 식각 장벽으로 하여 노출된 상기 실리콘 질화막을 식각하여 상기 실리콘 기판의 일부영역이 노출되도록 하면서 L자형 실리콘 질화막 스페이스를 형성하는 제5단계; 및 노출된 상기 실리콘 기판을 산화시키는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2단계는 패턴형성 후 잔류되어 있는 상기 질화 실리콘막(3) 하부에 위치한 상기 패드 산화막(2)의 일부가 언더컷(under cut) 식각되는 등방성 식각을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제5단계는 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제5단계는 상기 실리콘 산화막 스페이스(8)를 제거하고 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6단계는 실리콘 기판의 산화전에 상기 실리콘 산화막 스페이스(8)를 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 언더컷 식각은 상기 패드 산화막을 습식식각하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상에 패드 산화막, 질화 실리콘 막을 차례로 증착하는 제1단계; 상기 질화 실리콘막 및 상기 패드 산화막을 소정의 크기로 차례로 패턴하여 상기 실리콘 기판의 필드영역을 노출시키는 제2단계; 전체구조 상부에 폴리실리콘막과 실리콘 산화막을 차례로 증착하는 제3단계; 상기 실리콘 산화막만을 전면 식각하여 실리콘 산화막 스페이스를 형성하는 제4단계; 상기 실리콘 산화막 스페이스를 식각 장벽으로 하여 노출된 상기 폴리실리콘막을 식각하여 상기 실리콘 기판의 일부영역이 노출되도록 하면서 L자형 폴리실리콘막 스페이스를 형성하는 제5단계; 및 노출된 상기 실리콘 기판을 산화시키는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제2단계는 패턴형성 후 잔류되어 있는 상기 질환 실리콘막(3) 하부에 위치한 상기패드 산화막(2)의 일부가 언더컷(under cut)식각되는 등방성 식각을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리산화막 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제5단계는 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제5단계는 상기 실리콘 산화막 스페이스(8)를 제거하고 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제6단계는 실리콘 기판의 산화전에 상기 실리콘 산화막 스페이스(8)를 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 언더컷 식각은 상기 패드 산화막을 습식식각하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050888A KR970053396A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050888A KR970053396A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053396A true KR970053396A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66595078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050888A KR970053396A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053396A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490873B1 (ko) * | 2001-05-17 | 2005-05-23 | 한국과학기술연구원 | 초소형 렌즈 어레이 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-16 KR KR1019950050888A patent/KR970053396A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490873B1 (ko) * | 2001-05-17 | 2005-05-23 | 한국과학기술연구원 | 초소형 렌즈 어레이 제조방법 |
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