KR960002640A - 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960002640A
KR960002640A KR1019940013502A KR19940013502A KR960002640A KR 960002640 A KR960002640 A KR 960002640A KR 1019940013502 A KR1019940013502 A KR 1019940013502A KR 19940013502 A KR19940013502 A KR 19940013502A KR 960002640 A KR960002640 A KR 960002640A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nitride film
semiconductor device
field
trench
silicon substrate
Prior art date
Application number
KR1019940013502A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0141106B1 (ko
Inventor
류필렬
김학묵
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940013502A priority Critical patent/KR0141106B1/ko
Publication of KR960002640A publication Critical patent/KR960002640A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0141106B1 publication Critical patent/KR0141106B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76205—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region
    • H01L21/76208—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region using auxiliary pillars in the recessed region, e.g. to form LOCOS over extended areas

Abstract

본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, LOCOS 기술에 의해 형성돈 필드 산화막의 양측에 형성되는 버즈 비크의 발생을 방지하기 위하여 실리콘 기판 상부에 소정 깊이의 트렌치(Trench)를 형성시키고 상기 트렌치내에 질화막(Si3N4)을 증착시켜 필드 영역(Field Region)과 활성영역(Active Region)을 분리(Isolation)시킨 후 상기 필드영역을 산화시켜 필드산화막(Field Oxide)을 형성시키므로써 버즈 비크의 형성이 방지될 수 있는 반 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 종래 반도체 소자 및 그 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도,
제2A 내지 제2G도는 본 발명에 따른 반도체 소자 및 그 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자에 있어서, 실리콘 기판(1)의 필드영역(D) 양측부에 형성되는 트랜지스터(10)와, 상기 필드영역(D)에 형성되는 필드산화막(4A)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)을 소정깊이 식각하여 트렌치(10)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 제1질화막(6)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 트렌치(10)내부에만 제1질화막(6)이 남아 있도록 상기 제1질화막(6)를 식각한 후 패드 산화막(2A) 및 제2질화막(7)을 순차적으로 형성시키고 상기 제2질화막(7) 및 패드 산화막(2A)을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 제3질화막(8)을 형성시킨 후 상기 제3질화막(8)을 식각하여 상기 패터닝된 제2질화막(7) 측벽에 스페이서 질화막(8A)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘 기판(1)의 노출된 상기 필드 영역에 필드 산화막(4A)을 성장시킨 후 실리콘 기판(1)상의 제2질화막(7) 및 스페이서 질화막(8A)을 제거시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트렌치(10)는 필드영역(D)의 양측부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1질화막(6)은 상기 트렌치(10) 내부까지 채워지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 스페이서 질화막(8A)은 에치 백 식각공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013502A 1994-06-15 1994-06-15 반도체소자의제조방법 KR0141106B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940013502A KR0141106B1 (ko) 1994-06-15 1994-06-15 반도체소자의제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940013502A KR0141106B1 (ko) 1994-06-15 1994-06-15 반도체소자의제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960002640A true KR960002640A (ko) 1996-01-26
KR0141106B1 KR0141106B1 (ko) 1998-07-15

Family

ID=19385347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940013502A KR0141106B1 (ko) 1994-06-15 1994-06-15 반도체소자의제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0141106B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR0141106B1 (ko) 1998-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950015715A (ko) 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법
KR960002640A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR890004415A (ko) 반도체장치의 소자 분리방법
KR970053396A (ko) 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법
KR960026727A (ko) 고주파 반도체 장치의 제조방법
KR970053444A (ko) 소자격리영역의 형성방법
KR970008482A (ko) 반도체 장치 소자분리 방법
KR960002741A (ko) 반도체 집적회로의 분리영역 제조방법
KR970053410A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR970053423A (ko) 반도체 소자의 소자 분리 절연막 제조방법
KR970023988A (ko) 반도체장치의 소자격리방법(An isolation method of semiconductor device)
KR950021401A (ko) 트렌치형 소자분리막 제조방법
KR970053462A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법
KR930014885A (ko) 반도체 장치의 소자분리방법
KR970053400A (ko) 반도체 소자 격리형성 방법
KR960026557A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR960026620A (ko) 보이드(Void)를 이용한 반도체 소자분리 방법
KR970053457A (ko) 반도체 소자 분리막 형성 방법
KR960005937A (ko) 반도체 소자의 격리영역 형성방법
KR920020599A (ko) 반도체 장치의 소자 격리 방법
KR970023975A (ko) 반도체 소자의 트랜치 격리방법
KR970053441A (ko) 반도체장치의 소자 격리 영역 형성방법
KR950021358A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 제조 방법
KR970003823A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR960026544A (ko) 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060220

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee