KR970053400A - 반도체 소자 격리형성 방법 - Google Patents
반도체 소자 격리형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로 특히, 공정을 단순화 하고 버즈 비크(Bird's Beak)와 스트레스(Stress)를 줄이는데 적합하도록 한 반도체 소자 격리형성 방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 반도체 소자 격리형성 방법은 기판위에 산화막과 질화막을 형성하는 단계, 상기 기판에 섬 모양의 필드영역을 정의하여 필드영역의 산화막 및 질화막을 제거하고 동시에 상기 기판을 소정 깊이로 식각하는 단계, 상기 산화막 및 질화막을 포함한 기판 전면에 반구형 폴리 실리콘을 형성하는 단계, 상기 반구형 폴리 실리콘을 포함한 기판 전면을 열산화 하여 상기 필드영역에 필드 절연막을 형성하는 단계, 상기 산화막 및 질화막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 공정이 간단하고 버즈 비크 및 스트레스를 줄일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 소자 격리형성 공정단면도.
제2도는 본 발명의 반도체 소자 격리형성 공정단면도.
Claims (1)
- 기판위에 산화막과 질화막을 형성하는 단계, 상기 기판에 섬 모양의 필드영역을 정의하여 필드영역의 산화막 및 질화막을 제거하고 동시에 상기 기판을 소정 깊이로 식각하는 단계, 상기 산화막 및 질화막을 포함한 기판 전면에 반구형 폴리 실리콘을 형성하는 단계, 상기 반구형 폴리 실리콘을 포함한 기판 전면을 열산화 하여 상기 필드영역에 필드 절연막을 형성하는 단계, 상기 산화막 및 질화막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 격리형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052216A KR0166835B1 (ko) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 반도체 소자 격리형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052216A KR0166835B1 (ko) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 반도체 소자 격리형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053400A true KR970053400A (ko) | 1997-07-31 |
| KR0166835B1 KR0166835B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19441560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052216A KR0166835B1 (ko) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 반도체 소자 격리형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0166835B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11605714B2 (en) | 2018-09-05 | 2023-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including insulating layers and method of manufacturing the same |
-
1995
- 1995-12-19 KR KR1019950052216A patent/KR0166835B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11605714B2 (en) | 2018-09-05 | 2023-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including insulating layers and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0166835B1 (ko) | 1999-02-01 |
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