KR970053420A - 반도체장치의 필드산화막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
반도체장치의 필드산화막 형성방법이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체기판상에 폴리실리콘막을 형성시키고 그 위에 실리콘 질화막을 형성시키는 단계, 상기 막들이 형성된 반도체기판의 필요한 부분에서 상기 막들을 제거하여 반도체기판의 실리콘을 노출시키는 단계 및 부분적으로 실리콘이 노출된 반도체기판에 필드산화막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 일반적 필드산화막 형성방법들에 비해 아이소레이션 거리가 줄어들고 이중 새부리형태를 방지할 수 있으므로 반도체기판상의 활성영역과의 단차를 개선하는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법을 실시하기 위해 반도체기판에 폴리실리콘막과 실리콘 질화막이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체기판상에 폴리실리콘막을 형성시키고 그 위에 실리콘 질화막을 형성시키는 단계; 상기 막들이 형성된 반도체기판의 필요한 부분에서 상기 막들을 제거하여 상기 반도체기판의 실리콘층을 노출시키는 단계; 및 부분적으로 실리콘이 노출된 반도체기판에 필드산화막을 형성시키는 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 필드산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드산화막이 형성된 후에 반도체기판에 남아 있는 실리콘 질화막과 폴리실리콘막을 제거하는 단계가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 필드산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055724A KR970053420A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체장치의 필드산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055724A KR970053420A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체장치의 필드산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053420A true KR970053420A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950055724A KR970053420A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체장치의 필드산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053420A (ko) |
-
1995
- 1995-12-23 KR KR1019950055724A patent/KR970053420A/ko not_active Application Discontinuation
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