KR980006040A - 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법에 관한 것으로, 버즈 빅(Bird' Beak)의 발생으로 인한 활성영역(Active Region)의 크기 감소를 방지하기 위항 얇은 질화막을 이중으로 형성하고 상기 질화막간에 폴리실리콘층을 형성하므로써 산화 공정시 실리콘 기판으로 가해지는 스트레스를 최소화시키며 버즈 빅의 발생을 최소화시킨다. 따라서 버즈 빅의 발생으로 인한 활성영역의 크기 감소가 방지되며, 또한 표면의 단차가 감소되어 후속 공정을 용이하게 실시하 수 있는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
제2b도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
제2c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
제2d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
제2e도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 패드 산화막, 제1 질화막, 폴리실리콘층, 제2 질화막 및 산화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 소자분리 영역의 상기 실리콘 기판이 노출되도록 상기 산화막, 제2 질화막, 폴리실리콘층, 제1 질화막 및 패드 산화막을 순차적으로 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 노출된 부분의 상기 실리콘 기판을 산화시켜 소자분리막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막, 제2 질화막, 폴리실리콘층, 제1 질화막 및 패드 산화막을 순차적으로 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드 산화막은 20내지 40Å, 상기 제1 질화막은 150 내지 250Å, 상기 폴리실리콘층은 400내지 600Å, 상기 제2 질화막은 150내지 250Å 그리고 상기 산화막은 1300내지 1700Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 산화막은 화학기상증착 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 습식 식각 방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960022811A KR980006040A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019960022811A KR980006040A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR980006040A true KR980006040A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019960022811A KR980006040A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR980006040A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022811A patent/KR980006040A/ko not_active Application Discontinuation
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