KR970053488A - 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 로코스(LoCal Oxidation of Silicon)에 의한 형성 공정시 버드빅을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하여 필드 산화막을 제조하게 되면, 실리콘의 공급원으로 폴리실리콘을 중착하여, 이 폴리실리콘을 산화시키어 필드 산화막을 형성하므로, 필드 산화 공정시 측면 확산으로 인한 버드 빅을 감소할 수 있다. 따라서, 소자의 활성 영역이 감소된다.
선택도 : 제2도
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (2)
- 반도체 기판상부에 패드 산화막과 질화막을 중착하는 단계; 상기 질화막상에 필드 산화막 예정 영역 부위가 노출되도록 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 하부의 질화막 및 패드 산화막을 식각하는 단계; 상기 노출된 기판 부위에 불순물 이온 주입을 하고, 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 구조물 전면에 폴리실리콘막을 중착하는 단계; 상기 결과물이 형성된 반도체 기판을 산화하여 산화막을 형성하는 단계; 전체 구조 상부에 상기 질화막이 식각되어진 부분이 노출되도록 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 하부의 산화막을 식각하여 필드 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 잔존하는 질화막과 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막의 두께는 필드 산화막 예정 두께의 약 40 내지 50% 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069563A KR970053488A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069563A KR970053488A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053488A true KR970053488A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66639799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069563A KR970053488A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 필드 산화막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053488A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069563A patent/KR970053488A/ko not_active Application Discontinuation
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