KR960039272A - 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자분리막의 폭이 좁은 부분에서 산화막이 국부적으로 미성장하는 것을 방지하기 위한 반도체소자의 소자분리 산화막 형성방법에 관한 것으로, 소자분리막 형성영역의 반도체 기판을 노출시키는 제1단계; 소자분리 영역의 반도체 기판 상에 잔류하는 폴리머를 제거하는 제2단계; 소자분리막을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 일실시예에 따른 소자분리 산화막 형성과정을 나타내는 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 소자간 전기적 분리 및 격리를 위한 소자분리 산화막 형성방법에 있어서, 소자분리막 형성영역의 반도체 기판을 노출시키는 제1단계; 소자분리 영역의 반도체 기판 상에 잔류하는 폴리머를 제거하는 제2단계; 소자분리막을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1단계는 실리콘 기판 위에 패드 산화막, 패드 폴리실리콘막, 질화실리콘막을 적층한 다음 감광막을 도포한 후 노광 및 현상 공정을 통해 감광막패턴을 형성하는 과정과, 상기 감광막패턴을 식각 마스크로 사용하여 하부의 상기 질화실리콘막, 패드 폴리실리콘막, 패드 산화막을 식각하여 소자분리영역의 상기 실리콘 기판을 노출시키는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1단계 후 반도체 기판에 트랜치를 형성하는 과정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2단계는 인산(H3PO4)으로 일정 두께만큼 식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100414743B1 (ko) * 1996-12-31 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리막형성방법

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