KR960002738A - 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것으로, 필드산화막 양측에 형성되는 버즈비크로 인하여 활성역이 감소되는 것을 개선하기 위하여 패드 산화막 상부에 질화막, 다결정 실리콘층 및 산화막을 순차적으로 형성한 후 상기 산화막을 패터닝하여 필드영역(field region)을 성정하고 상기 산화막 측벽에 산화막 스페이서를 형성시켜 스페이서 산화막이 두께만큼 감소된 최종 필드영역을 설정하므로써 넓은 활성영역을 확보할 수 있도록 한 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A내지 제2F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (3)

1. 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 패드 산화막(2), 질화막(3), 다결정 실리콘층(4) 및 산화막(5)을 순차적으로 형성한 후 그 상부에 감광막(6)을 도포하고 패터닝하여 필드영역(A)을 설정하고 노출된 상기 산화막(5)을 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막(6)을 제거한 다음 산화막을 소정두께로 증착하고 스페이서 식각방법에 의해 상기 산화막(5)측벽에 산화막 스페이서(7)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막(5) 및 산화막 스페이서(7)를 마스크로 이용하여 상기 다결정 실리콘층(4)을 식각한 후 상기 산화막(5) 및 산화막 스페이서(7)를 제거시키는 단계와, 상기 단계로부터 잔류되는 다결정 실리콘층(4)을 마스크로 이용하여 최종 필드영역(B)을 설정하기 위해 상기 질화막(3)을 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 다결정 실리콘층(4)을 제거시킨 후 필드 산화막(8)을 성장시키기 위해 소정온도에서 산화공정을 진행시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막(3) 및 패드 산화막(2)을 순차적으로 제거시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 최종 필드영역(B)의 폭은 산화막 스페이서(8)의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층(4)을 식각 마스크로 한 식각공정시 상기 질화막(3), 패드 산화막(2) 및 실리콘 기판(1)을 순차적으로 식각하여 실리콘 기판(1)에 소정깊이의 트렌치를 형성한 후, 트렌치내에 필드 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.