KR970053430A - Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 2차 버즈빅(BIRD'S BEAK)을 감소시키기 위한 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법에 관한 것으로서, 반도체기판상에 패드산화막, 폴리실리콘, SiN, 포토레지스트를 순차로 적층한 후 상기 포토레지스트에 패턴을 형성하는 제1단계; 상기 SiN을 부분식각(PARTIAL ETCH)한 후 상기 SiN과 포토레지스트에 의한 측벽에 폴리머(POLYMER)를 형성시키는 제2단계; 상기 폴리머(POLYMER)를 마스크로 하여 잔류 SiN과 폴리실리콘을 과식각(OVER ETCH)하여 2단계 단차를 만든 후 상기 폴리머와 포토레지스트를 제거하는 제3단계; 및 열산화 공정에 의해 상기 반도체기판에 이르는 필드산화막을 형성시키는 제4단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A) 내지 (F)는 본 발명에 의한 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법을 나타내는 단면도들이다.
Claims (1)
- SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법에 있어서, 반도체기판상에 패드산화막, 폴리실리콘, SiN, 포토레지스트를 순차로 적층한 후 상기 포토레지스트에 패턴을 형성하는 제1단계; 상기 SiN을 부분식각(PARTIAL ETCH)한 후 상기 SiN과 포토레지스트에 의한 측벽에 폴리머(POLYMER)를 형성시키는 제2단계; 상기 폴리머(POLYMER)를 마스크로 하여 잔류 SiN과 폴리실리콘을 과식각(OVER ETCH)하여 2단계 단차를 만든 후 상기 폴리머와 포토레지스트를 제거하는 제3단계; 열산화 공정에 의해 상기 반도체기판에 이르는 필드산화막을 형성시키는 제4단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057121A KR970053430A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057121A KR970053430A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053430A true KR970053430A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66619001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057121A KR970053430A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053430A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479172B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 선택적다결정실리콘산화법을이용한필드산화막형성방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057121A patent/KR970053430A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479172B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 선택적다결정실리콘산화법을이용한필드산화막형성방법 |
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