KR950021367A - 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950021367A KR950021367A KR1019930029777A KR930029777A KR950021367A KR 950021367 A KR950021367 A KR 950021367A KR 1019930029777 A KR1019930029777 A KR 1019930029777A KR 930029777 A KR930029777 A KR 930029777A KR 950021367 A KR950021367 A KR 950021367A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- nitride film
- nitride
- manufacturing
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체 소장의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 필드 영역을 설정하고 질화막, 산화막 및 질화막을 차례로 증착한 후 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정에 의해 질화막, 산화막 및 질화막을 제거한 다음 슬릿(Slit)을 형성하고 식각비 차이를 이용하여 실리콘 기판의 일부분만 트렌치를 형성한 다음 산화공정에 의해 소자분리막이 형성되도록 한 반도체 소장의 소자분리막 제조방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
Claims (1)
- 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)을 산화시켜 패드 산화막(2)을 형성하고 그 상부에 제1질화막(3)을 형성한 후 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 제2질화막(5), 산화막(6) 및 제3질화막(7)을 형성하고 CMP 공정에 의해 상기 제3질화막(7), 산화막(6) 및 제2질화막(5)을 차례로 제거한 후 측벽에 잔류하는 산화막(6)을 제거하여 슬릿(10)을 성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 슬릿 하부의 제2질화막(5) 및 패드 산화막(2)을 제거하고 트렌치(8)를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 산화공정을 실시하여 소자분리막(9)을 형성하고 상기 제1, 제2 및 제3질화막 (3, 5 및 7), 산화막(6) 및 패드 산화막(2)을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소장의 소자분리막 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029777A KR950021367A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029777A KR950021367A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021367A true KR950021367A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66850773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930029777A KR950021367A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021367A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712985B1 (ko) * | 2001-02-08 | 2007-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
| KR100732737B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
| KR100732797B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 소자분리막 형성 방법 |
-
1993
- 1993-12-27 KR KR1019930029777A patent/KR950021367A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100732737B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
| KR100732797B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 소자분리막 형성 방법 |
| KR100712985B1 (ko) * | 2001-02-08 | 2007-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960043106A (ko) | 반도체장치의 절연막 형성방법 | |
| KR940016682A (ko) | 집적회로에서 전기적 분리 구조 및 그 형성방법 | |
| KR970030640A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR950015715A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR950021367A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970072380A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| EP0293979A2 (en) | Zero bird-beak oxide isolation scheme for integrated circuits | |
| KR890004415A (ko) | 반도체장치의 소자 분리방법 | |
| JPS61201444A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR950012685A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR950007056A (ko) | 반도체 소자의 소자격리 산화막 형성방법 | |
| KR100190036B1 (ko) | 반도체 소자의 분리 방법 | |
| KR960002742A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR970003786A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970053430A (ko) | Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법 | |
| KR950021365A (ko) | 반도체 장치의 소자분리막 제조방법 | |
| KR930003366A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리방법 | |
| KR930017139A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960002744A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR940016681A (ko) | 반도체 집적회로의 분리영역 제조방법 | |
| KR970077499A (ko) | 세폭스(sepox) 소자 분리 방법 | |
| KR960026557A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR940001350A (ko) | 폴리실리콘을 이용한 반도체소자 격리방법 | |
| KR970023988A (ko) | 반도체장치의 소자격리방법(An isolation method of semiconductor device) | |
| KR880013236A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |