KR940016682A - 집적회로에서 전기적 분리 구조 및 그 형성방법 - Google Patents

집적회로에서 전기적 분리 구조 및 그 형성방법 Download PDF

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Abstract

무결함 필드 산화물 분리는 뜨거운 이산화규소의 라미네이트층(14)과 질화실리콘 필드 산화 마스크(18) 아래에서 화학 기상 증착된 이산화규소를 이용하여 달성된다. 이산화규소의 라미네이트층(14)은 실리콘 기판(12)상에서 형성되고, 다음에 라미네이트층 위에 질화 실리콘층이 증착된다. 그후에 실리콘 기판(12) 내에서 분리영역(22)을 규정하는 필드 산화 마스크(18)을 형성하기 위하여 질화 실리콘이 패턴된다. 필드 산화물(34)이 실리콘 기판(12)의 분리영역(22)에서 성장하고, 그후에 필드 산화 마스크(18)가 제거된다.

Description

집적회로에서 전기적 분리 구조 및 그 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 버퍼층의 노출부를 에칭하여 잔류부의 에지 아래에서 리세스를 형성하는 공정을 도시한 기판의 단면도, 제 4 도는 노출부 위에 덮히는 제 2 버퍼층을 형성하는 공정을 도시한 기판의 단면도, 제 5 도는 잔류부 및 제 2 버퍼층 위에 질화물층을 형성하는 공정을 도시한 기판의 단면도, 제 6 도는 기판의 분리영역내에 두꺼운 전기적 분리 산화물을 성장시키기 위해 열적 산화공정을 실시하는 기판의 단면도, 제 7 도는 잔류부들을 제거하였을 때의 기판의 단면도.

Claims (5)

  1. 집적회로에서 전기적 분리 구조(34)의 형성방법에 있어서, 주표면을 갖는 반도체 기판(12)을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판(12)의 주표면을 덮으며 열적 성장 및 증착된 이산화규소의 라미네이트(14)를 형성하는 단계와, 상기 라미네이트(14)를 덮는 산화 마스킹층(16)을 형성하는 단계와, 반도체 기판(12)을 덮는 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)를 남기며 또 반도체 기판(12)의 분리영역(22)을 규정하기 위하여 산화마스킹층(16)을 패턴하는 단계와, 반도체 기판(12)의 분리영역(22)에서 전기적 분리 구조(34)를 형성하는 단계와, 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  2. 집적회로에서 전기적 분리 구조(34)의 형성방법에 있어서, 주표면을 갖는 반도체 기판(12)을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판(12)의 주표면을 덮으며 열적 성장 및 증착된 이산화규소의 라미네이트(14)를 형성하는 단계와, 상기 라미네이트(14)를 덮는 폴리실리콘층을 증착하는 단계와, 폴리실리콘층을 덮는 산화 마스킹층(16)을 형성하는 단계와, 반도체 기판(12)을 덮는 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)를 남기며 또 반도체 기판(12)의 분리영역(22)을 규정하기 위하여 산화 마스킹층(16)을 패턴하는 단계와, 반도체 기판(12)의 분리영역(22)에서 전기적 분리 구조(34)를 형성하는 단계와, 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  3. 집적회로에서 전기적 분리 구조(34)의 형성방법에 있어서, 주표면을 갖는 반도체 기판(12)을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판(12)의 주표면을 덮으며 열적 성장 및 증착된 이산화규소의 라미네이트(14)를 형성하는 단계와, 상기 라미네이트(14)를 덮는 산화 마스킹층(16)을 형성하는 단계와, 반도체 기판(12)을 덮는 산화 마스킹층(16)의 잔류부(16)를 남기며 또 반도체 기판(12)의 분리영역(22)을 규정하기 위하여 산화 마스킹층(16)을 패턴하는 단계와, 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)의 에지 부분 아래에서 리세스(24)를 형성하는 단계와, 질화 실리콘층이 실제로 리세스(24)를 채우도록 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)와 분리영역(22)을 덮는 질화 실리콘층을 형성하는 단계와, 반도체 기판(12)의 분리영역(22)에서 전기적 분리 구조(34)를 형성하는 단계와, 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는형성방법.
  4. 집적회로에서 전기적 분리 구조(34)를 형성하는 방법에 있어서, 주표면을 갖는 반도체 기판(12)을 제공하는 단계와, 반도체 기판(12)의 주표면 상에서 뜨거운 제 1 이산화규소층을 성장시키는 단계와, 뜨거운 제1 이산화규소층을 덮는 제 2 이산화규소 산화물층을 증착하는 단계와, 제 2 이산화규소층을 덮는 질화 실리콘층(16)을 형성하는 단계와, 반도체 기판(12)의 분리영역(22)을 규정하며 또 반도체 기판(12)을 덮는 질화 실리콘층(16)의 잔류부(18)를 남기기 위하여 질화 실리콘층(16)을 패턴하는 단계와, 필드 산화물 영역을 형성하기 위하여 분리영역(22) 아래에 놓이는 반도체 기판(12)의 부분을 산화하는 단계와, 질화 실리콘층(16)의 잔류부(18)를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  5. 집적회로에서 전기적 분리 구조(34)의 형성방법에 있어서, 주표면을 갖는 반도체 기판(12)을 제공하는 단계와, 반도체 기판(12)의 주표면에서 뜨거운 제 1 이산화규소층을 성장시키는 단계와, 뜨거운 제 1 이산화규소층을 덮는 제 2 이산화규소층을 증착하는 단계와, 제 2 이산화규소층을 덮는 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 폴리실콘층을 덮는 질화 실리콘층(16)을 형성하는 단계와, 반도체 기판(12)을 덮는 질화 실리콘층(16)의 잔류부(18)를 남기며 또 반도체 기판(12)의 분리영역(22)을 규정하기 위하여 질화 실리콘층(16)을 패턴하는 단계와, 필드 산화물 영역을 형성하기 위하여 분리영역(22) 아래에 놓여 있는 반도체 기판(12)의 일부를 산화하는 단계와, 산화 마스킹층(16)의 잔류부(18)를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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