KR960026727A - 고주파 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

고주파 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로웨이브(microwave)의 고주파 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체기판상에양질의 산화막을 형성하기 위한 산화막성장방법에 관한 것이다.
반도체기판내에 산화매몰층을 형성하여 능동소자와 수동소자를 동시에 집적화되는 고주파 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1)상에, 완충용 산화막(2)과, 질화실리콘막(3) 및, 산화막(4)이 순차로 형성되는 공정과; 소정패턴의 포토레지스트막(5)을 상기 산화막(4)위에 형성하고, 산화매몰 영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 포토마스크로 사용하여, 상기 산화막(4)/질화실리콘막(3)/완충용 산화막(2)으로 이루어진 식각보호층을 건식식각방법으로 제거하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 제거한 다음, 상기 실리콘기판(1)을 소정깊이만큼 수직방향으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 열산화하여 상기 트렌치내에 산화막이 충진되면서 산화되고, 그리고 트렌치 사이의 실리콘을 산화하여 산화매몰층을 형성하는 공정과; 상기 완충용산화막(2)위에 형성된 층들을 모두 제거하는 공정을 포함한다.

Description

고주파 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 고주파 반도체장치의 제조방법의 공정들을 보여주는 단면도이다.

Claims (6)

  1. 반도체기판내에 산화매몰층을 형성하여 능동소자와 수동소자를 동시에 집적화되는 고주파 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1)상에, 완충용 산화막(2)과, 질화실리콘막(3) 및, 산화막(4)이 순차로 형성되는 공정과; 소정패턴의 포토레지스트막(5)을 상기 산화막(4)위에 형성하여, 산화매몰영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 포토마스크로 사용하여, 상기 산화막(4)/질화실리콘막(3)/완충용 산화막(2)으로 이루어진 식각보호층을 건식식각방법으로 제거하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 제거한 다음, 상기 실리콘기판(1)을 소정깊이만큼 수직방향으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 열산화하여 상기 트렌치내에 산화막이 충진되면서 산화되고, 그리고 트렌치 사이의 실리콘을 산화하여 산화매몰층을 형성하는 공정과; 상기 완충용산화막(2)위에 형성된 층들을 모두 제거하는 공정을 포함하는것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 실리콘기판인 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 위에 에피택셜층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 고주파 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 완충용산화막(2)은 300 내지 400Å의 두께를 갖고, 상기 질화실리콘막(3)은 약 1200Å의 두께를 가지며, 상기 산화막(4)은 10000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 식각보호층을 제거하는 공정에서, 트렌치 사이에 형성된 실리콘의 폭과 트렌치의 폭이 0.9 : 1.1이 되도록 하여 식각하는 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 산화매몰층상에는 수동소자가 형성되고, 그리고 상기 산화매몰층이외의 부분에는 능동소자가 형성되는 고주파 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940033892A 1994-12-13 1994-12-13 고주파 반도체 장치의 제조방법 KR0137572B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100415190B1 (ko) * 1997-06-25 2004-03-26 삼성전자주식회사 고주파 반도체 소자 및 그 제조방법
KR100441488B1 (ko) * 2001-11-13 2004-07-23 전국진 마이크로 구조물의 잔류응력 테스트 패턴 및 그 제조방법 그리고 상기 패턴을 이용한 잔류응력 측정방법

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