KR940016589A - 필드산화막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조시 LOCOS 공정에 의해 필드산화막을 형성하는 방법에 있어서, 유효채널 폭이 줄어드는 것을 방지하기 위하여, 실리콘기판 상부에 패드산화막과 질화막을 예정된 두께로 적층한 후, 마스크를 이용한 식각공정으로 질화막 패턴을 형성하는 공정과, 질화막 패턴 측벽에 예정된 폭의 스페이서 질화막을 형성하고 노출된 패드산화막을 제거하는 공정과, 열산화공정으로 노출된 실리콘기판으로 필드산화막을 형성하는 공정으로 이루어지는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 내지 제 4 도는 본 발명에 의해 필드산화막을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (1)
- LOCOS 공정에 의해 필드산화막을 형성하는 방법에 있어서, 유효채널 폭이 줄어드는 것을 방지하기 위하여, 실리콘기판 상부에 패드산화막과 질화막을 예정된 두께로 적층한 후, 마스크를 이용한 식각공정으로 질화막 패턴을 형성하는 공정과, 질화막 패턴 측벽에 예정된 폭의 스페이서 질화막을 형성하고 노출된 패드산화막을 제거하는 공정과, 열산화공정으로 노출된 실리콘기판으로 필드산화막을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 필드산화막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027053A KR100261966B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 필드산화막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027053A KR100261966B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 필드산화막 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016589A true KR940016589A (ko) | 1994-07-23 |
| KR100261966B1 KR100261966B1 (ko) | 2000-07-15 |
Family
ID=19348202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920027053A KR100261966B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 필드산화막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100261966B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950005043B1 (ko) * | 1990-06-09 | 1995-05-17 | 금성일렉트론주식회사 | Locos 제조방법 |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027053A patent/KR100261966B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100261966B1 (ko) | 2000-07-15 |
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