KR920013600A - 반도체 장치의 플래이너 격리영역 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 플래이너 격리영역 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (1)
- 기판위에 버퍼산화마과 부분산화마스크용 질화막을 차례로 형성하는 단계, 포토/에치 공정을 실시하여 필드영역과 액티브영역을 한정하고 필드영역내의 상기 산화막과 질화막을 제거하는 단계, 상기 필드영역내의 기판을 에치하여 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치내에 측벽스페이서 산화막을 형성하는 단계, 트렌치내에 필드산화를 행하여 필드산화막을 형성하는 단계, 액티브영역내의 상기 마스크용 질화막과 버퍼산화막을 제거하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 플래이너 격리영역 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900021630A KR100198600B1 (ko) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 반도체 장치의 플레이너 격리영역 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900021630A KR100198600B1 (ko) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 반도체 장치의 플레이너 격리영역 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013600A true KR920013600A (ko) | 1992-07-29 |
| KR100198600B1 KR100198600B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19308333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900021630A KR100198600B1 (ko) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 반도체 장치의 플레이너 격리영역 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100198600B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI319204B (en) | 2004-10-12 | 2010-01-01 | Hynix Semiconductor Inc | Method for fabricating semiconductor device using tungsten as sacrificial hard mask |
-
1990
- 1990-12-24 KR KR1019900021630A patent/KR100198600B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100198600B1 (ko) | 1999-06-15 |
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