KR920020599A - 반도체 장치의 소자 격리 방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자 격리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 소자 격리 공정 단면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판(1)에 열산화막(2)을 성장시키는 공정과, 상기 열산화막(2)을 마스킹 공정에 의해 필드 영역과 액티브 영역으로 식각하는 공정과, 상기 전 표면위에 질화막(3)과 CVD 산화막(4)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 CVD산화막(4)과 질화막(3)이 열산화막(2)의 측벽에 남도록 에치 백한후 필드 영역의 기판(1)을 식각는 공정과, 필드 산화를 실시하여 필드 영역과 액티브 영역에 산화가 구분되게 일어나게 한 후 P/R(5)을 덮어 표면을 평탄화시키는 공정과, 상기 P/R(5)과 CVD산화막(4)을 같은 에치율로 에치 백하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 격리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005715A KR940007540B1 (ko) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 반도체 장치의 소자격리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005715A KR940007540B1 (ko) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 반도체 장치의 소자격리방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020599A true KR920020599A (ko) | 1992-11-21 |
| KR940007540B1 KR940007540B1 (ko) | 1994-08-19 |
Family
ID=19313086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005715A KR940007540B1 (ko) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 반도체 장치의 소자격리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940007540B1 (ko) |
-
1991
- 1991-04-10 KR KR1019910005715A patent/KR940007540B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940007540B1 (ko) | 1994-08-19 |
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