KR930009059A - 반도체 소자의 액티브 영역확대 및 소자 격리방법 - Google Patents

반도체 소자의 액티브 영역확대 및 소자 격리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에 관한 것으로서 특히 MOS 소자에 적당하도록 액티브 영역확대 및 소자격리기술에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 반도체소자의 액티브 영역확대 및 소자격리 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 두꺼운 필드 산화막을 형성한 뒤 HF를 이용하여 습식에치 백을 실시하므로 소자간을 격리하고 이로인해 액티브 영역의 둥근 면을 이루며 위로 솥아 면적의 확장효과를 얻을 수 있는 반도체 소자의 액티브 영역확대 및 소자격리 방법.

Description

반도체 소자의 액티브 영역확대 및 소자격리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 셀 제조 공정도

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 액티브 영역확대 및 소자격리 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 두꺼운 필드 산화막을 형성한 뒤 HFA를 이용하여 습식에치 백을 실시하므로 소자간을 격리하고 이로인해 액티브 영역의 둥근 면을 이루며 위로 솥아 면적의 확장효과를 얻을 수 있는 반도체 소자의 액티브 영역 확대 소자격리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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