KR920007094A - 초고집적 회로의 소자 고립방법 - Google Patents
초고집적 회로의 소자 고립방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정 단면도.
Claims (3)
- 개별소자의 동작영역과 고립영역을 분리하기 위해 P/R을 이용하여 각 영역을 정의하는 공정, P형 실리콘 기판에 얕게 트렌치를 형성하고 P/R을 제거한 후 실리콘 산화막을 성장시키는 공정, 다시 P/R을 이용하여 트렌치내의 실리콘 산화막을 수직적으로 건식식각하고 P/R을 제거하는 공정, P/R을 이용하여 기판과 같은 형의 불순물을 주입하는 공정, P/R을 제거하고 실리콘 산화막과 일치되는 높이까지 트렌치내에 다결정 실리콘을 선택적으로 성장시키는 공정을 차례로 실시함을 특징으로하는 초고집적 회로의 소자 고립방법.
- 제1항에 있어서, 실리콘기판은 3000-10000A 깊이로 식각함을 특징으로 하는 초고집적 회로의 소자 고립방법.
- 제1항에 있어서, 실리콘 산화막은 두께는 200-1000A으로함을 특징으로 하는 초고집적 회로의 소자 고립방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR920007094A true KR920007094A (ko) | 1992-04-28 |
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| KR1019900014256A KR950009286B1 (ko) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 초고집적 회로의 소자 고립방법 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100265973B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-09-15 | 김영환 | 반도체소자분리방법 |
| KR20010005115A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
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1990
- 1990-09-10 KR KR1019900014256A patent/KR950009286B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100265973B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-09-15 | 김영환 | 반도체소자분리방법 |
| KR20010005115A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950009286B1 (ko) | 1995-08-18 |
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