KR920007147A - 산화막의 자기정합에 의한 바이폴라 트랜지스터의 메몰층과 웰 형성방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

산화막의 자기정합에 의한 바이폴라 트랜지스터의 메몰층과 웰 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 산화막의 자기정합에 의한 바이폴라 트랜지스터의 메몰층과 웰의 제조공정도이다.

Claims (2)

1. 실리콘 기판(21)상에 제1매몰층(22)을 형성한 다음 후막의 산화막(23)을 형성하고, 상기 산화막(23)을 마스크층으로 하여 제2매몰층(24)을 형성하며, 상기 제2매몰층(24)을 형성한 다음 산화막을 전면 식각하고 그 위에 에피택셜층(25)을 순차 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 에피택셜층(25)상에 산화막(26)과 질화막(27)을 전면 도포하는 공정과, 상기 산화막(23)의 식각에 의해 낮아진 부분의 질화막(28)만을 남겨두고 그 이외의 부분의 질화막(27)을 식각하는 공정과, 상기 질화막(27)을 마스크로 하여 제2매몰층의 형성시 이온주입된 불순물과 동일도전형을 갖는 불순물을 이온주입한 다음 침투시켜 제2웰(28)을 형성하는 공정과, 상기 질화막(27)을 마스크로 하여 산화공정을 수행하여 제2웰(28)이 형성되어 있는 기판의 표면이 높은 곳에 후막의 산화막(29)을 형성하는 공정과, 질화막(27)을 제거한 다음 제2웰(28)의 형성시 이온주입된 불순물과 반대 도전형을 갖는 불순물을 후막의 산화막(29)을 마스크 층으로 이용하여 기판 전면에 이온주입한 다음 침투시켜 제1웰(30)을 형성하는 공정과, 제1웰(30)을 형성한 다음 산화막을 전면 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막의 자기정합에 의한 바이폴라 트랜지스터의 매몰층과 웰의 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 제1웰(30)은 상기 산화막(29)을 마스크층으로 하여 자기정합되어 형성되어지는 것을 특징으로 하는 산화막의 자기정합에 의한 바이폴라 트랜지스터의 매몰층과 웰의 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.