KR920007181A - 앤-모스 ldd트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.
Claims (3)
- 기판위에 게이트 산화막, 다결정 실리콘, 산화막을 형성하고 사진식각 기술에 의해 한정한후 그위에 CVD산화막(5)을 증착하는 공정, 상기 CVD 산화막 위에 질화막을 증착하고 이방성 식각으로 질화막측벽을 형성한후 N+이온주입 및 산화분위기에서 고온열처리를 실시하는 공정,상기 산화막측벽을 제거하고 N-이온을 주입하는 공정, CVD산화막을 증착하고 이방성 식각으로 산화막측벽을 형성시키는 공정을 순차적으로 실시함을 특징으로 하는 앤-모스 LDD 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, CVD 산화막(5)은 200~300A 두께로 형성하여 후공정시 덮여질 실리콘 질화막이 이방성 식각시 베리어 역할을 하게함을 특징으로 하는 앤-모스 LDD 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, N+이온주입후 실시하는 고온열처리시 질화막 습식식각을 고려하여 식각베리어가 될수 있도록 약 100A의 산화막이 성장되게 산화분위기로 조절함을 특징으로 하는 앤-모스 LDD 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014487A KR920007181A (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 앤-모스 ldd트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014487A KR920007181A (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 앤-모스 ldd트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920007181A true KR920007181A (ko) | 1992-04-28 |
Family
ID=67542568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900014487A KR920007181A (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 앤-모스 ldd트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920007181A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361529B1 (en) * | 1995-12-29 | 2003-08-21 | Hynix Semiconductor Inc | Method for manufacturing mos transistor with lightly doped drain structure |
-
1990
- 1990-09-13 KR KR1019900014487A patent/KR920007181A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361529B1 (en) * | 1995-12-29 | 2003-08-21 | Hynix Semiconductor Inc | Method for manufacturing mos transistor with lightly doped drain structure |
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