KR920018973A - 리세스드 채널 모오스 fet 제조방법 및 구조 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 리세스도 채널 모오스 FET 구조도,
제4도는 (A)~(K)는 본 발명에 따른 리세스도 채널 모오스 FET의 제조공정도.
Claims (2)
- 실리콘 웨이퍼위에 옥사이드를 디포지션한후 폴리실리콘을 증착시키고 그위에 다시 옥사이드를 디포지션한 다음 실리콘 웨이퍼위의 옥사이드를 에치하는 공정과, 상기 공정에서 옥사이드를 에치한후 실리콘 에피텍셜층을 성장시키고 실리콘과 옥사이드를 에치한다음 그 자리에 게이트 옥사이드를 형성시키는 공정과, 상기 공정에서 게이트 옥사이드를 형성한후 불순물 이온주입하여 소오스/드레인을 형성하고 게이트 옥사이드를 에치한다음 게이트 폴리실리콘을 증착시키고 그다음 콘택을 형성하는 공정을 포함하여 리세스드-채널 모오스 FET를 제조하도록 하는 것을 특징으로 하는 리세스드-채널 모오드 FET 제조방법.
- 리세스드 채널 모오스 FET 구조에 있어서, 소오스/드레인 영역밑으로 게이트 채널이 형성되어 구성되는 것을 특징으로 하는 리세스도 채널 모오스 FET 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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| KR1019910004018A KR940004270B1 (ko) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 리세스드 채널 모오스 fet 제조방법 |
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| KR940004270B1 KR940004270B1 (ko) | 1994-05-19 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100743652B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2007-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｓｏｉ 소자의 제조방법 |
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1991
- 1991-03-14 KR KR1019910004018A patent/KR940004270B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR940004270B1 (ko) | 1994-05-19 |
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