KR910001895A - Ldd구조 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
Ldd구조 반도체 장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A)-(E)도는 본 발명에 제조공정도.
Claims (4)
- 반도체장치의 제조방법에 있어서, 제1도 전형의 단결정 실리콘기판(30)상에 게이트 산화막이 되는 제1산화막층(31)과, 게이트형성을 위해 제1다결정 실리콘층(32) 및 마이킹을 위한 제2산화막층(33)을 형성하는 제1공정과, 상기 제1공정에 의해 형성된 상기 제1다결정 실리콘층(32) 및 제2산화막층(33)에서 트랜지스터의 채널이 되는 영역(40)의 상부에 위치한 상기 제1다결정 실리콘층(32) 및 제2산화막층(33)의 일부분을 제외한 나머지 영역들을 사진식각 공정에 의해 식각하는 제2공정과, 상기 제2공장에 의해 형성된 구조의 전면에 제2도전형의 제1드레인 및 소오스영역(38)이 되는 제1이온 주입영역(34)을 형성하기 위하여 제2도전형의 이온 불순물들을 제1이온 주입하는 제3공정과, 상기 제2공정에 의해 노출된 제1산화막층(31) 및 제2산화막층(33)의 상부에 제2다결정 실리콘층(35)을 침적시키는 제4공정과, 상기 제4공정에 의해 형성된 상기 제2다결정 실리콘층(35)을 에치백공정으로 선택 식각하여 상기 제1다결정 실리콘층(32)과 함께 게이트(37)를 형성하도록 하는 제5공정과, 상기 제5공정에 의해 형성된 구조전면에 제2도전형의 제2드레인 및 소오스영역(39)이 되는 제2이온 주입영역(36)을 형성하기 위하여 제2도전형의 불순물을 제2이온 주입하는 제6공정과, 상기 제3공정 및 제6공정에서 상기기판(30)내로 주입된 이온 불순물들을 활성화하여 제1드레인 소오스영역(38)과 제2드레인 및 소오스영역(39)을 형성하는 제7공정이 연속적으로 이루어짐을 특징으로 하는 LDD 구조 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6공정은 상기 제2이온주입의 이온불순물들이 상기 제1이온주입의 이온불순물들 보다 저에너지 고농도로 이온주입됨을 특징으로 하는 LDD 구조 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1드레인 및 소오스영역(38)의 폭(20)은 상기 제1다결정 실리콘층(32)의 측벽에 형성된 상기 다결정 실리콘 스페이서(35)의 소정길이(10)로써 조절될 수 있음을 특징으로 하는 LDD 구조 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1다결정 실리콘층(32) 및 상기 다결정 실리콘 스페이서(35)는 본 발명에 따른 트랜지스터의 게이트(37)를 형성함을 특징으로 하는 LDD 구조 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890008557A KR910001895A (ko) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ldd구조 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019890008557A KR910001895A (ko) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ldd구조 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910001895A true KR910001895A (ko) | 1991-01-31 |
Family
ID=67840749
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019890008557A KR910001895A (ko) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ldd구조 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910001895A (ko) |
-
1989
- 1989-06-21 KR KR1019890008557A patent/KR910001895A/ko not_active IP Right Cessation
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