KR950034669A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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KR950034669A
KR950034669A KR1019940011305A KR19940011305A KR950034669A KR 950034669 A KR950034669 A KR 950034669A KR 1019940011305 A KR1019940011305 A KR 1019940011305A KR 19940011305 A KR19940011305 A KR 19940011305A KR 950034669 A KR950034669 A KR 950034669A
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강대술
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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 소자의 격리영역을 최소화하여 고집적화에 적당하도록 한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 반도체 소자 제조방법은 반도체 기판에 제1소자격리영역을 형성하는 공정과, 상기의 제1도전형 반도체층상에 산화막과 질화막을 형성하는 공정과, 상기 제1소자격리영역 보다 작은 폭으로 제1소자격리영역 상의 질화막을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 질화막 측면에 질화막 측벽을 하고 제1도전형 반도체층을 열산화하여 제2소자격리영역을 형성하는 공정과, 상기 제1도전형 반도체층을 단결정화하고, 질화막, 질화막측벽, 산화막을 제거한 후 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기의 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기의 게이트 전극을 마스크로 하여 저농도 제2도전형 불순물 이온주입을 실시한후 게이트전극 측면에 절연막 측벽을 형성하고 다시 고농도 제2도전형 불순물 이온주입을 하여 LDD구조의 소스 및 드레인영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a) 내지 (e)는 본 발명의 반도체 소자의 공정단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 기판에 제1소자격리영역을 형성하는 공정과, 상기의 제1소자격리영역이 형성된 기판의 전면에 일정 두께의 제1도전형 반도체층을 형성하는 공정과, 상기의 제1도전형 반도체층상에 산화막과 질화막을 형성하는 공정과, 상기 제1소자격리영역 보다 작은 폭으로 제1소자격리영역 상의 질화막을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 질화막 측면에 질화막 측벽을 하고 제1도전형 반도체층을 열산화하여 제2소자격리영역을 형성하는 공정과,상기 제1도전형 반도체층을 단결정화하고, 질화막, 질화막 측벽, 산화막을 제거한 후 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기의 게이트 절연막상에 게이트 전극을 마스크로 하여 저농도 제2도전형 불순물 이온주입을 하여 LDD 구조의 소스 및 드레인영역을 형성하는 공정과 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1도전형 반도체층은 비정질실리콘(Amorphous-si) 또는 폴리실리콘(Poly-si)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1도전형 반도체층의 단결정화는 반도체 기판을 시도(seed)로 하여 레이저(Laser)를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011305A 1994-05-24 1994-05-24 반도체 소자의 제조방법 KR0124642B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685885B1 (ko) * 2005-10-28 2007-02-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 격리영역 형성방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100685885B1 (ko) * 2005-10-28 2007-02-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 격리영역 형성방법

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