KR950021201A - 반도체 소자의 스페이서 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 스페이서 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 스페이서 형성방법에 관한 것으로, 캡 산화막을 사용하지 않고 텅스텐 폴리사이드층을 식각하여 패턴을 형성한 후 산화막을 증착시키고, 스페이서 마스크(Spacer Mask)를 사용하여 산화막을 식각하므로서 스페이서가 형성되도록 한 반도체 소자의 스페이서 형성방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 소자의 스페이서 형성방법을 설명하기 위한 단면도,
제2A도 및 2B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 스페이서 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판(1)상의 양측에 활성영역을 분리하기 위한 필드 산화막(2)을 형성하고, 상기 필드 산화막(2)사이의 소정부분에 게이트 산화막(3)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 게이트 산화막(3) 상부에 다결정 실리콘층(4) 및 텅스텐 실리사이드층(5)을 각각 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 마스크 공정 및 식각공정에 의해 폴리사이드 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 폴리사이드 식각 손상을 회복하고 상기 텅스텐 실리사이드층(5)의 결정화를 위해 열처리하는 단계와, 상기 단계로부터 LDD(Light doped drain) 마스크를 사용하여 LDD이온을 주입하고 마스크를 제거한 후 캡 산화막 기능을 하는 산화막(9)을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 스페이서 마스크를 사용하여 상기 산화막(9)을 식각하고 마스크를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030101A KR950021201A (ko) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030101A KR950021201A (ko) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021201A true KR950021201A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930030101A KR950021201A (ko) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021201A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335483B1 (ko) * | 1995-11-28 | 2002-11-20 | 삼성전자 주식회사 | 반도체소자의스페이서형성방법 |
| KR100309138B1 (ko) * | 1995-12-07 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의스페이서형성방법 |
-
1993
- 1993-12-28 KR KR1019930030101A patent/KR950021201A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335483B1 (ko) * | 1995-11-28 | 2002-11-20 | 삼성전자 주식회사 | 반도체소자의스페이서형성방법 |
| KR100309138B1 (ko) * | 1995-12-07 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의스페이서형성방법 |
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